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2016 Fiscal Year Annual Research Report

Research on SOI 3D pixel process

Planned Research

Project AreaInterdisciplinary research on quantum imaging opened with 3D semiconductor detector
Project/Area Number 25109002
Research InstitutionHigh Energy Accelerator Research Organization

Principal Investigator

新井 康夫  大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 教授 (90167990)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 倉知 郁生  大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, その他部局等, 特別教授 (00533944)
三好 敏喜  大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 研究機関講師 (20470015)
井田 次郎  金沢工業大学, 工学部, 教授 (60506450)
Project Period (FY) 2013-06-28 – 2018-03-31
Keywords半導体 / Silicon On Insulator / 放射線センサ / 先端機能デバイス / 微細加工プロセス
Outline of Annual Research Achievements

第4回目の相乗りプロセス(MultiProject Wafer : MPW)ランを6月に行い、計画研究班及び公募研究班からの25種の設計が持ち寄られ、プロセスを行った。完成したチップは、それぞれの要望に応じてウエハ、ベアチップ、パッケージチップの形で配布した。
これまでのSOI検出器よりも放射線耐性、クロストークを減らした、Double SOIウエハを用いた設計が増えた。また、中国高能研との初めての共同開発検出器として計数型センサCNPIX1も設計した。
検出器性能は試作毎に向上しており、京都大を中心に開発したXRPIX検出器では、遂に当初目標である10電子のノイズレベルを達成した。また、素粒子実験用崩壊点検出器FPIX2では、陽子ビームを用いた実験で世界で初めて1umを切る分解能を示した。金沢工業大学ではSOIの特性を生かしたSuper Steep Transistor(SST)の研究が進み、各種国際会議での発表が行われた。2種類のチップを積層した3次元チップに関しては、CAD設計環境の整備が進み、複雑なチップの積層設計が行えるようになった。
2016年6月には北海道大学で、また11月にはSpring-8において国内研究会を開催し、それぞれ約60名の参加があり、多くの研究発表と活発な議論が行われた。また8月には3回目となるSOI検出器の設計講習会をKEKにおいて開催した。今回は、内容のレベルをやや上げ、設計経験のある人を主な対象とした為、昨年度よりは参加者数は減ったが、それでも約10名の参加があり、技術の取得とともに、親交を深めた。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

各研究班からの設計を集めてチップの製作を行う相乗りプロセス(MPW)を順調に行う事ができている。
特に新たに開発したDouble SOI技術を用いた設計が広がり、放射線耐性やノイズ性能において向上が見られた。
また高密度化を狙った3次元積層チップ、検出器感度を上げる為のSuper Steep Transistorの開発等も順調に研究が進んでいる。
これらの結果、本研究班が中心となって進めているSOIプロセスを用いて製造した他の研究班の検出器も格段の性能向上が見られるようになって来た。
また設計講習会には、検出器設計に加わる若手研究者が多数参加し、活動の幅が広がっている。

Strategy for Future Research Activity

次年度は領域研究の最終年度であることから、これまでの開発成果をまとめ、今後将来に渡りSOIプロセスを使いやすいものにするための努力を行って行く。平成29年度も設計のノウハウや性能向上の為の講習会を開催し、若手研究者の技術力の向上を図っていく。
さらに、SSTトランジスタや3次元積層技術、放射線耐性の向上、集積回路の高密度化等の新しい課題にチャレンジし、SOI検出器の新たな可能性を広げていく。
平成29年12月には沖縄でSOI検出器に関する国際会議を開催する予定なので、これに向け研究成果をまとめていく。

  • Research Products

    (19 results)

All 2017 2016 2014 Other

All Int'l Joint Research (2 results) Journal Article (5 results) (of which Peer Reviewed: 5 results,  Open Access: 1 results,  Acknowledgement Compliant: 4 results) Presentation (5 results) (of which Int'l Joint Research: 2 results,  Invited: 1 results) Book (2 results) Remarks (2 results) Patent(Industrial Property Rights) (3 results) (of which Overseas: 2 results)

  • [Int'l Joint Research] Institute of High Energy Physics(中国)

    • Country Name
      CHINA
    • Counterpart Institution
      Institute of High Energy Physics
  • [Int'l Joint Research] AGH-University of Science and Technology/Institute of Nuclear Physics, Krakow(ポーランド)

    • Country Name
      POLAND
    • Counterpart Institution
      AGH-University of Science and Technology/Institute of Nuclear Physics, Krakow
  • [Journal Article] SOI Monolithic Pixel Detector Technology2017

    • Author(s)
      Y. Arai
    • Journal Title

      Proceedings of Science

      Volume: - Pages: -

    • Peer Reviewed / Open Access / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Tradeoff Between Low-Power Operation and Radiation Hardness of Fully Depleted SOI pMOSFET by Changing LDD Conditions2016

    • Author(s)
      Ikuo Kurachi, Kazuo Kobayashi, Marie Mochizuki, Masao Okihara, Hiroki Kasai,Takaki Hatsui, Kazuhiko Hara, Toshinobu Miyoshi, and Yasuo Arai
    • Journal Title

      IEEE Transactions on Electron Devices

      Volume: 63 Pages: 2293-2298

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Development of an X-ray Imaging system with SOI Pixel Detectors2016

    • Author(s)
      Ryutaro NISHIMURA, Yasuo ARAI, Toshinobu MIYOSHI, Keiichi HIRANO, Shunji KISHIMOTO, Ryo HASHIMOTO
    • Journal Title

      Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A

      Volume: 831 Pages: 49-54

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2016.04.036

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Advanced monolithic pixel sensors using SOI technology2016

    • Author(s)
      Toshinobu Miyoshi, Yasuo Arai, Mari Asano, Yowichi Fujita, Ryutaro Hamasaki, Kazuhiko Hara, Shunsuke Honda, Yoichi Ikegami, Ikuo Kurachi, Shingo Mitsui, Ryutaro Nishimura, Kazuya Tauchi, Naoshi Tobita, Toru Tsuboyama, Miho Yamada
    • Journal Title

      Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A

      Volume: 824 Pages: 439-442

    • DOI

      https://doi.org/10.1016/j.nima.2015.11.109

    • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
  • [Journal Article] Super Steep Subthreshold Slope PN-Body Tied SOI FET’s of Ultra Low Drain Voltage=0.1V with Body Bias below 1.0V2016

    • Author(s)
      Takahiro Yoshida, Jiro Ida, Takashi Horii, Masao Okihara and Yasuo Arai
    • Journal Title

      Proceedings of IEEE SOI-3D-Subtreshold Microelectronics Unified Conference

      Volume: - Pages: 1-3

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] SOI ピクセルディテクタ用新型DAQシステムの開発現況について2017

    • Author(s)
      西村 龍太郎, 新井 康夫, 三好 敏喜, 平野 馨一, 岸本 俊二, 橋本 亮
    • Organizer
      日本物理学会
    • Place of Presentation
      大阪大学豊中キャンパス(大阪府・豊中市)
    • Year and Date
      2017-03-17
  • [Presentation] CP 法による SOI 裏面界面準位密度の評価2017

    • Author(s)
      武田 和馬,井田 次郎, 林 拓郎,細野 竜太郎, 新井康夫
    • Organizer
      応用物理学会
    • Place of Presentation
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • Year and Date
      2017-03-16
  • [Presentation] SOI Monolithic Pixel Detector Technology2016

    • Author(s)
      Yasuo Arai
    • Organizer
      International workshop on vertex detectors
    • Place of Presentation
      Isola d'Elba, Italy
    • Year and Date
      2016-09-25 – 2016-09-30
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] SOI ピクセルディテクタを用いた放射光用X線計測システムの現況について2016

    • Author(s)
      西村 龍太郎, 新井 康夫, 三好 敏喜, 平野 馨一, 岸本 俊二, 橋本 亮
    • Organizer
      日本物理学会
    • Place of Presentation
      金沢大学(石川県・金沢市)
    • Year and Date
      2016-09-13
  • [Presentation] Confirmation of SS=35μV/dec over 3 Decades of Drain Current and Hole Accumulation Effect on PN-Body Tied SOI Super Steep SS FET’s2016

    • Author(s)
      Takashi Horii, Jiro Ida, Takahiro Yoshida, Masao Okihara and Yasuo Arai
    • Organizer
      IEEE SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP 2016
    • Place of Presentation
      Honolulu, USA
    • Year and Date
      2016-06-12 – 2016-06-13
    • Int'l Joint Research
  • [Book] Radiation Imaging Detectors Using Soi Technology2017

    • Author(s)
      Y. Arai and I. Kurachi
    • Total Pages
      71
    • Publisher
      Morgan & Claypool Publisher
  • [Book] Radiation Imaging Detectors Using Soi Technology2016

    • Author(s)
      Y. Arai, Renato Turchetta(Editor)
    • Total Pages
      306
    • Publisher
      CRC Press
  • [Remarks] SOI Pixel Detector R&D

    • URL

      http://rd.kek.jp/project/soi/

  • [Remarks] 3次元半導体検出器で切り拓く新たな量子イメージングの展開

    • URL

      http://soipix.jp/index.html

  • [Patent(Industrial Property Rights)] RADIATION-DAMAGE-COMPENSATION-CIRCUIT AND SOI-MOSFET2016

    • Inventor(s)
      倉知郁生、新井康夫、山田美帆
    • Industrial Property Rights Holder
      倉知郁生、新井康夫、山田美帆
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      PCT/JP2016/079797
    • Filing Date
      2016-10-06
    • Overseas
  • [Patent(Industrial Property Rights)] Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device2016

    • Inventor(s)
      新井康夫、葛西大樹、沖原将生
    • Industrial Property Rights Holder
      新井康夫、葛西大樹、沖原将生
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      US2016/0190203 A1
    • Filing Date
      2016-06-30
    • Overseas
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体装置およびその製造方法2014

    • Inventor(s)
      葛西大樹、新井康夫
    • Industrial Property Rights Holder
      葛西大樹、新井康夫
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      特許番号 第6108451
    • Filing Date
      2014-07-24
    • Acquisition Date
      2017-03-17

URL: 

Published: 2018-01-16  

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