1990 Fiscal Year Annual Research Report
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01840001
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Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
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| Research Institution | Kisarazu National College of Technology |
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Principal Investigator |
小平 眞次 木更津工業高等専門学校, 電気工学科, 教授 (50042627)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
稲谷 順司 国立天文台, 野辺山宇宙電波観測所, 助教授 (20134629)
石川 雅之 木更津工業高等専門学校, 電気工学科, 助教授 (50143665)
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| Keywords | サブミリ波 / ガン発振器 / 逓倍器 / フラックスフロ- / SIS / 注入同期 / NbN / MgO |
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| Research Abstract |
本年度はガン発振電力注入による逓倍器の試作とフラックスフロ-発振器の開発を行なった。以下にその概要を述べる。
1.ガン発振電力注入による逓倍器
ガン発振器のマウントはレデュ-ス・ハイトの導波管型とし、バイアスチョ-クはカットオフ15GHzとした。ガンダイオ-ドは日本鉱業K.K製のインジュ-ムリン(ImP)のダイオ-ドを用いた。周波数94GHzで70mW以上が得られた。同期電力はバイアスポ-トよりXバンドのマイクロ波を注入したが、同期効率が悪く、今後チョ-クフイルタ-周辺の改良が必要である。一方、サブミリ波逓倍器については、基板回路と逓倍器マウントの製作を行なった。現在、アセンブリ-を行なっており、入出力特性の測定は次年度に行なう予定である。
2.フラックスフロ-発振器
Nb/AlOx/NbのSIS接合を用いたフラックスフロ-発振器を試作し特性測定を行なった。この結果、200GHzから600GHzに対応したベロシティマッチングステップの直流特性が得られ、かつ100GHzから450GHzまでの発振ビ-ム出力を確認し、150GHzにおいて最大発振電力1.4μWが得られた。一方、高周波化のために窒化ニオブを用いたNbN/MgO/NbNのSIS接合の製作プロセス改良を進めた。この結果、ストレスフリ-で良質なNbN薄膜の上にはMgOが一様に蒸着し難く、歪みの多い膜がMgOのカバ-リングの良いことが明らかとなった。そこで良質な膜上に200A^^°の歪の多い膜をつけた構造のSISを作り、リ-ク電流の減少を図った。なお、このSISは発振出力をビ-ムで放射させるために、クオ-ツ基板上に作った。
以上のように、本年度の研究目標はほぼ計画通り達成することができたが、逓倍出力特性や発振スペクトルの評価は次年度の課題となった。
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Research Products
(2 results)
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[Publications] 稲谷 順司: "A Microstrip Transformer for Submillimeter FluxーFlow Oscillators" The 3rd AsiaーPacific Microwave Conference Proceedings. 585-588 (1990)
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[Publications] 桐生 昭吾: "反応性スパッタリングで作製されたNbN薄膜のストレス" 第38回応用物理学係連合講演会. (1991)
