1992 Fiscal Year Annual Research Report
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04045023
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
柊元 宏 東京工業大学, 工学部, 教授 (50013488)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
EUN Kyung Su 韓国, 全北大学・半導体物理研究センター, 助教授
JAE Myung Se 韓国, 全北大学・半導体物理研究センター, 助教授
KEE Young Li 韓国, 全北大学・半導体物理研究センター, 助教授
HYUNG Jae Le 韓国, 全北大学・半導体物理研究センター, 教授
古屋 一仁 東京工業大学, 工学部, 教授 (40092572)
伊賀 健一 東京工業大学, 精密工学研究所, 教授 (10016785)
高橋 清 東京工業大学, 工学部, 教授 (10016313)
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| Keywords | 半導体 / 半導体材料 / 半導体デバイス / ヘテロ構造 / 量子構造 |
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| Research Abstract |
本研究の初年度に当たる平成4年度においては、韓国からの研究者の招へいと韓国への研究者の派遣を行い、半導体量子構造についての国際研究協力を実施した。
まず、平成4年12月に、韓国側研究者3名(研究分担者:H.J.Lee、および研究協力者:C.H.Chung、およびB.D.Choi)が東京工業大学に滞在し、高速エレクトロニクスセンターおよび像情報工学研究施設において分子線エピタキシー(MBE)および有機金属気相エピタキシー(MOVPE)による化合物半導体のヘテロ構造ならびに量子構造の結晶成長を日本側研究者と共に研究した。韓国側研究者はこれらの試料を持ち帰り、それらの電気的ならびに光学的特性の評価を行った。
次いで、平成5年2月に、日本側研究者3名(研究代表者:柊元、および研究分担者:高橋、および伊賀)が韓国を訪問して、東京工業大学で作製した半導体ヘテロおよび量子構造について韓国全北大学半導体物理研究センターで評価した結果に関して討論を行った。またこの機会に、日本学術振興会と韓国科学財団(KOSEF)の援助のもとに開催された「半導体の量子化電子構造」に関する日韓シンポジウムに参加して発表ならびに討論を行った。
これらによって、半導体材料・デバイスの先端的な課題である量子構造に関して、日韓相互の学術交流と研究推進がはかられたと考える。
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[Publications] K.TAKAHASHI: "Quantum Functional Devices for the 21st Centuy" The 2nd Japan-Korea Joint Symposium ¨Quantized Electronic Structures of Semiconductors¨. 1-7 (1993)
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[Publications] H.KUKIMOTO: "AIP-GaP Short-Period Superlattices" The 2nd Japan-Korea Joint Symposium ¨Quantized Electronic Structures of Semiconductors¨. 16-23 (1993)
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[Publications] K.IGA: "Multi-Quantum Barrier(MQB)-Its Design and Application to Semiconductor Lasers-" The 2nd Japan-Korea Joint Symposium ¨Quantized Electronic Structures of Semiconductors¨. 68-73 (1993)
