1993 Fiscal Year Annual Research Report
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04045023
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
古屋 一仁 東京工業大学, 工学部, 教授 (40092572)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
SUH Eun Kyun 全北大学, 助教授
SEO Jae Myun 全北大学, 助教授
LIM KeeーYoun 全北大学, 助教授
LEE Hyung Ja 全北大学, 教授
伊賀 健一 東京工業大学, 精密工学研究所, 教授 (10016785)
柊元 宏 東京工業大学, 工学部, 教授 (50013488)
高橋 清 東京工業大学, 工学部, 教授 (10016313)
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| Keywords | 日韓合同シンポジウム / 半導体物理研究センターシンポジウム / 21世紀に向けたオプトエレクトロニクス |
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| Research Abstract |
平成5年9月25・26日に札幌にて日韓合同シンポジウムを開催し、韓国側から9名、日本側から15名の研究者が参加して研究討論を行った。また、平成5年11月11・12日に韓国全北大学で開催の半導体物理研究センターシンポジウムに日本側研究者2名が参加し研究討論を行った。さらに平成6年1月26・27日に国際シンポジウム「21世紀に向けたオプトエレクトロニクス」を開催し、韓国側研究者3名を招請し研究討論を行った。
これらの研究交流によりお互いの研究課題、研究方法についての相互認識が深まり、将来の共同研究に向けた素地が築かれてきた。
日韓合同のシンポジウムの回数を重ねることで相互に研究についての理解が深まってきている。しかし、相手国の研究理解においてはまだ十分ではない部分もあり、今後さらに日韓間の国際学術交流を深めることが必要である。
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[Publications] K.Furuya: "Influence of Impurities on the Performance of Doped-Well GaInAs/InP Resonant Tunneling Diodes" Jpn.J.Appl.Phys. 32. 243-246 (1993)
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[Publications] K.Takahashi: "Low-Temperature Si Epitaxy by Photochemical Vapor Deposition with SiH_2Cl_2" Jpn.J.Appl.Phys. 33. 153-155 (1994)
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[Publications] H.Kukimoto: "Epitaxial Growth of Wide-Gap Chalcopyrite Materials-Current State and Future-" Jpn.J.Appl.Phys. 32. 10-13 (1993)
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[Publications] K.Iga: "Transverse-mode Charactertistics of InGaAs/GaAs Vertical Cavity Surface Emitting Lasers Considerig Gain Offset" Jpn.J.Appl.Phys. 32. 1612-1614 (1993)
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[Publications] H.J.Lee: "Temperature dependence of optical properties of light emitting porous silicon" J.Korean.Phys.Soc.26. S103 (1993)
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[Publications] K.Y.Lim: "Simple Model for the Second Substrate Current Hump in Short-Channel LDD MOSFETs" Phys.Stat.Sol.(a). 136. K71 (1993)
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[Publications] Y.H.Seo: "Photoluminescence Raman scattering and infrared absorption studies of poroues silicon" Appl.Phys.Lett.62. 1812 (1993)
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[Publications] E.K.Suh: "Correlation of optical and structural properies of light emitting porous silicon" Appl.Phys.Lett.62. 855 (1993)
