ピコ秒電子分光法による界面励起のダイナミクスに関する研究

1994 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 05452100
• Research Institution: Institute of Industrial Science, University of Tokyo
• Principal Investigator: 岡野 達雄 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (60011219)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 櫻井 誠 神戸大学, 理学部, 助教授 (90170646) ; 寺田 啓子 東京大学, 生産技術研究所, 教務職員 (50114567) ; 松本 益明 東京大学, 生産技術研究所, 助手 (40251459)
• Keywords: 表面 / 低速電子線 / 電子分光法 / 時間分解分光 / 電子励起 / ダイナミクス

Research Abstract

固体表面や界面での局在励起の高速過渡現象は、超高速電子デバイスやオプトエレクトロニクスの機能限界を決める基礎物性として、その解明が強く期待されている。本研究課題では、荷電粒子直射型ストリークカメラをベースとした高速時間分解電子分光装置を開発し、固体表面での高速電子励起・緩和過程の研究を行った。
(1)初年度に製作を行った装置を用いて、本年度は、真空紫外領域からγ線領域に至る広いエネルギー領域でのパルス光電子放射過程の研究を、高エネルギー物理学研究所と分子科学研究所の単バンチ放射光を励起源として進めた。測定では鉄同位体からの核共鳴励起に伴う内部転換電子放射を光照射に伴う雑音成分から分離することに成功した。マシンタイムの制限から本年度内には量子ビ-トの測定には至らなかったが、次年度マシンタイムにおいて内部転換電子放射に伴う量子ビ-ト測定を完成させる予定である。
(2)GaAs光電面を用いたピコ秒電子源の開発を行った。本年度は、走査トンネル顕微鏡を用いて、表面の清浄化操作と表面原子構造の再構成に関する研究を行い、表面でのステップ構造形成に与える気相ガスの影響が明らかになった。また、活性ガス処理後の構造変化をその場観察するための試料処理システムを完成した。

Research Products

• [Publications] K.Hata,H.Ikoma´T.Okano,A.Kawazu,T.Ueda,M.Akiyama: "Spoutaneous appearance of high index facets during the evolution of step bunching on vicinal GaAs(001)" J.Appl.Phys.76. 5601-5604 (1994)