1995 Fiscal Year Annual Research Report
有機金属原料を用いる原子層エピタキシ-のマイクロバランスによるその場観察
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06452108
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| Research Institution | Tokyo University of Agriculture and Technology |
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Principal Investigator |
纐纈 明伯 東京農工大学, 工学部, 助教授 (10111626)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
高橋 直行 東京農工大学, 工学部, 助手 (50242243)
関 壽 東京農工大学, 工学部, 教授 (70015022)
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| Keywords | In situ monitoring / In situ gravimetric Monitoring / In situ optical Monitoring / Atomic layer epitaxy / reconstruction / GaAs |
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| Research Abstract |
本研究では,これまで我々がすすめてきたこれらのその場測定装置を用いて,原料として有機金属を用いるALE成長の成長メカニズムを調べることを目的に行ってきた。
本研究では,大きく分けて2つの方向から本研究に取り組んだ。その一つは,新しい観察手段として,他では行われていないALE成長装置に高感度マイクロバランスを組み合わせたその場測定装置を有機金属系ALEに対して開発すること。もう一方は,ハロゲン系原料を用いたALE成長により有機金属を用いた場合と同じ表面状態を形成して,その面を用いて結晶成長メカニズムの解明を行うことである。
有機金属系を用いたその場測定装置の一番の問題点は加熱方法である。通常の有機金属法では,高周波加熱等を用いたコールドウォールタイプが主流である。これは,ハロゲン化物が熱に対して安定であるのに対して,有機金属原料が熱的に不安定であるためである。しかし,マイクロバランスを用いたその場測定装置に基板結晶のみを加熱することは不可能であるため,以下に示した種々の加熱方法を検討した。
(1)高周波加熱を用いた,立ち上がり距離の非常に短いホットウォールタイプの電気炉
(2)高出力の抵抗加熱を用いたホットウォールタイプの電気炉
実際に,炉を作製してその場測定装置に組込み安定実験を行った。その結果,上述の(2)の方法がノイズおよび温度の安定性からも有利であることが明らかになった。この結果を踏まえ,有機原料系のその場測定装置の構築に取り組んだ。本研究では当初の目的を達成し、表面における多くの知見を得ることができた。
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Research Products
(7 results)
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[Publications] H.Ikeda: "Substitution of Surface Adscrbed As Atoms to P Atoms in Atomic layer Epitaxy" Applied Surface Science. 82/83. 257-262 (1994)
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[Publications] 纐纈明伯: "GaAs原子層エピタキシ-のその場観察-グラヴィメトリック法および表面吸収法-" 日本結晶成長学会誌. 21. 32-37 (1994)
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[Publications] A.Koukitu: "Determination of Surface Chemical Species in GaAs Atomic Layer Epitaxy by In situ gravimetric Monitoring" Jpn.J.Appl.Phys.33. L613-L616 (1994)
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[Publications] 纐纈明伯: "ハロゲン系原子層エピタキシ-におけるGaAs成長過程のその場観察" 日本結晶成長学会誌. 21. S161-S168 (1994)
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[Publications] A.Koukitu: "In Situ Gravimetric Monitoring of Arsenic Descrption in GaAs Atomic Layer Epitaxy" J.Crystal Growth. 146. 239-245 (1995)
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[Publications] A.Koukitu: "In Situ Monitoring of the Growth Process in GaAs Atomic Layer Epitaxy by Gravimetric and Optial Methods" J.Crystal Growth. 146. 467-474 (1995)
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[Publications] 第9回「大学と科学」公開シンポジウム組織委員会編: "結晶成長のしくみを探る原子レベルでの成長メカニズム" (株)クバプロ, 189 (1995)
