完全表面の創成

2001 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 08CE2004
• Research Institution: Osaka University
• Principal Investigator: 森 勇藏 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (00029125)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 青野 正和 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (10184053) ; 片岡 俊彦 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50029328) ; 芳井 熊安 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (30029152) ; 森田 瑞穂 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50157905) ; 広瀬 喜久治 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (10073892)
• Keywords: 完全表面 / 超精密加工 / EEM / プラズマCVM / 大気圧プラズマCVD / 超純水電解加工 / 第一原理分子動力学シュミレーション / ウルトラクリーンテクノロジー

Research Abstract

本研究では、完全表面の創成を目的とした独創的な超精密加工および成膜方法を確立するため、新しい加工プロセスの開発、加工プロセスの計測と制御、加工表面の評価と評価技術の開発、加工現象の理論的な解明という4項目の目標を達成しなければならない。各項目について、それぞれ特筆すべき研究の進展および新たに得られた知見について述べる。
1.新しい加工プロセスの開発
(1)プラズマCVMにおいては、プラズマ発生用電極として直径1mmのパイプ電極を適用することにより、加工の空間分解能を約1mmまで向上させることができた。(回転電極を用いた従来の分解能は約10mm)そして、K-B型2次元集光光学系に用いる硬X線集光用の楕円面ミラーを作製し、形状誤差3nm以下を達成するとともに、SPring-8の1km長尺ビームラインにおいて集光特性を評価したところ025×03μmという世界最小の集光径を実現した。また、数値制御プラズマCVMによって薄膜化した8インチSOIウエハを半導体デバイス製造ラインに投入してMOSFETを作製し、その特性を評価した。作製したデバイスは良好な特性を示し、薄膜化したウエハがラインにおいて使用可能であることを実証した。
(2)数値制御EEMにおいて、形状修正可能な空間波長域を0.3mmにまで短縮することに成功し、SPring-8/RIKENとの共同研究により、作製したX線ミラーを評価した結果、コヒーレントX線に対してスペックルノイズの無い反射光を得るミラーの製作が可能であることを実証した。また、X線顕微鏡用ミラーの最終仕上げに用いることで、スペックルノイズの無い世界最高性能のプロジェクシヨン顕微鏡を製作できる目処を得た。また、CVDアモルファスSi膜の平坦化を行い、原子スケールの平坦化をAFMおよびSTMによって確認し、結晶の異方性を受けないアモルファスX線ミラー開発の可能性を得た。
(3)大気圧プラズマCVDでは、従来技術に対して10倍以上の成膜速度(1m×1mの基板換算)でほぼ同等の性能を有するアモルファスSi太陽電池デバイスの作製に成功した。また、エピタキシャルSi薄膜については、一般的な熱CVD法に対して成膜温度の500℃以上の低温化と成膜速度の10倍以上の高速化を同時に達成した。さらに、従来技術の100倍以上の成膜速度で均質なアモルファスSic薄膜の形成を可能とした。
( 4)超純水のみによる電気化学的加工プロセスの開発において、数値制御超純水電解加工システムによる、シリコンウエハ上のダマシン銅配線パターン形成試験を行った結果、サブμmから数十μmの配線幅パターンが混在するウエハにおいても、配線パターンの形成が可能であるごとがわかった。また、超純水超高速せん断流シリコンウエハ洗浄システムのクリーン化を目指した改良、およびウエハ上の汚染微粒子の洗浄試験を行い、粒径100nm以下の汚染微粒子に対する洗浄効果を確認した。
2.加工プロセスの計測と制御技術
(1)大気圧・高周波プラズマの計測において、プラズマCVMに使われる大気圧・高周波He/CF4/02プラズマについて、(1)反射結像系のみによる空間分解発光分光(対象粒子:He、CF、CF2、F、O)、(2)シリンドリカルレンズで形成したシート状パルスOPOレーザー光によるレーザー誘起蛍光分光(対象粒子:CF、CF2)、を実施した。このとき、プラズマ生成電力量や材料ガス組成を変化させ、プラズマCVMに寄与する上記原子・分子の数密度の空間分布の相対変化を、加工条件に近いプラズマにおいて系統的に計測することが出来た。
3.加工表面の評価と評価技術の開発
(1)高エネルギー加速器研究機構との共同研究で、表面の法線ベクトルを測定することで自由曲面の形状を測定する超精密非球面形状測定装置を試作した。その性能を評価し、2×10^<-7>radの再現性を達成していることを確認した。
(2)楕円面鏡を用いて全散乱光を計測する新開発のレーザー光散乱法によって、シリコンウエハ上の粒径2(nmの微粒子およびスクラッチを含む表面のナノメートルレベルの微細構造を検出することに成功した。
(3)走査反射電子顕微鏡法により、H_2アニールがSi(111)表面構造に及ぼす影響を調べた。超高真空アニールとの比較から、単原子ステップ配列の温度依存性は同様であるが、H_2雰囲気では、ステップフロー速度の増大によりテラス幅が拡大すること、表面構造が7x7から水素終端化1x1構造に変化することが明らかとなり、H_2アニールは、エピ成長などプロセス雰囲気におけるSi表面の平坦化に寄与することが分った。
4.加工現象の理論的な解明
(1)独自に開発した実空間差分法に基づく第一原理分子動力学計算手法を用いて、従来までの第一原理計算で扱われてきた絶縁体・半導体だけでなく、扱いが困難であった金属的な系の電子状態までも高精度に求めることができ、かつ計算量をモデルサイズに比例させることのできる計算手法(オーダーN)を開発した。また、第一原理計算で得られた結果を用いて、電気伝導特性を求める計算手法を確立し、ナノワイヤーのコンダクタンスが量子化されることを、理論計算により実証した。
(2)加工現象の第一原理分子動力学シミュレーションによって、EEM、超純水電気化学加工における加工現象素過程の解明に成功した。この成果に基づいて加工特性の材料依存性の検討(EEM: GaAs, SiC, Diamond,超純水電気化学加工:Diamond, Al)を行った。また、陰イオン交換材料の水分子解離触媒作用を解析した。さらに、プラズマCVMの反応ガス(He/CF_4/O_2)中のFラジカル生成素過程のモデルを提案し、その検討を行った。

Research Products

• [Publications] Y.Mori: "Activities on Perfect Surfaces in Osaka University, Ultra Precision Machining Research Center"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 3-32 (2001)
• [Publications] Y.Mori: "Development of Elastic Emission Machining and Plasuta Chemical Vaporization Machining System to Fabricate X-Ray Opics for 3rd and 4th Generation Synchrotron Facilities"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 42-54 (2001)
• [Publications] Y.Mori: "Flattening Si (001) Surface by EEM (Elastic Emission Machining)"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 61-66 (2001)
• [Publications] K.Inagaki: "First-Principles Evaluations of Machinability Dependency on Power Material in Elastic Emission Machining"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 67-71 (2001)
• [Publications] H.Goto: "A Study on Electrocheinical Machining Method in Ultrapure Water-First-Principles Molecular-Dynamics Simulations for Etching Process of Si(001) Cathode Surface-"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 80-85 (2001)
• [Publications] Y.Mori: "Dissociation Process of Water Molecule by Catalytic Reaction and Application to Electrocheniical Machining in Ultrapure Water(1st Report)"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 86-95 (2001)
• [Publications] Y.Mori: "Dissociation Process of Water Molecule by Catalytic Reaction and Application to Electrocheuiical Machining in Ultrapure Water(2nd Report)"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 96-102 (2001)
• [Publications] Y.Mori: "Development of Electrocheiaical Machining System in Ultrapure Water and Application to Plananization Hachining Process"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 103-109 (2001)
• [Publications] Y.Higashi: "A New Designed Ultra-High Precision Profiler for SR Mirrors"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 113-120 (2001)
• [Publications] Y.Oshikane: "Point Diffraction Interferoineter Using 2 Optical Fiber Point Sources"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 121-126 (2001)
• [Publications] H.Inoue: "Measurement of Ultra-Fine Particles and Micro Defects on Si Wafer Surface by Laser Light Scattering"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 131-135 (2001)
• [Publications] Y.Oshikane: "Scanning Near-Filed Optical Microscope with a Spherical Microcavity Probe"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 136-140 (2001)
• [Publications] K.Endo: "SREM/STN Observation of the Hydrogen-Terminated Si (001 ) Surface in Heating-up Process after Wet Cleaning"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 141-145 (2001)
• [Publications] M.Morita: "Ultrathin Dielectric Films for Next Generation Semiconductor Devices"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 155-160 (2001)
• [Publications] S.Sasaki: "Measurement of Nanoparticles and Defects by Laser Light Scattering on Si Wafer Surface with Ellipsoidal Reflector"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 161-166 (2001)
• [Publications] Y.Mori: "Numerically Controlled Thinning of SOI by Plasma CVM"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 167-172 (2001)
• [Publications] Y.Mori: "High-Rate Deposition of Device-Grade Amorphous Si by Atmospheric Pressure Plasma CVD"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 187-192 (2001)
• [Publications] Y.Mori: "Hydrogenated Amorphous Sil-xCx Filuis Fabricated at Extremely High Deposition Rate by Atmospheric Pressure Plasma CVD"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 199-204 (2001)
• [Publications] Y.Mori: "High-Rate Growth of Epitaxial Si by Atmospheric Pressure Plasma CVD"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 205-210 (2001)
• [Publications] Y.Mori: "Epitaxial Growth of Si by Atmospheric Pressure Plasma CVD -Growth Rate and Crystallinity-"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 211-215 (2001)
• [Publications] Y.Mori: "Epitaxial Growth of Si by Atmospheric Pressure Plasma CVD -Effects of Temperature and Plasma Power on Crystallinity of the Si films"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 216-220 (2001)
• [Publications] M.Nakano: "Numerical Simulation of Reactive Gas Flow in Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition (AP-PCVD) Process"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for AAtomistic Production Engineering. 221-226 (2001)
• [Publications] H.Toyota: "High Rate Synthesis of Diamond by Plasma CVD under Higher Pressure than Atmospheric Pressure"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 227-232 (2001)
• [Publications] Y.Oshikane: "Optical Emission Spectroscopy and Laser Induced Fluorescence Spectroscopy of CF and CF2 Radicals in Capacitive Atmospheric VHF Plasma"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 233-238 (2001)
• [Publications] Y.Kuwahara: "Control of Spatial Distribution of Self-Assembled Organic Molecules on the Solid Surface"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 248-250 (2001)
• [Publications] H.Ohmi: "Formation of Monochromatic Atomic Beam for Nanofabrication"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 251-256 (2001)
• [Publications] A.Saito: "Strucural Analysis of One-Dimensional Nano-Architecture by X-ray Standing Wave Method"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 257-261 (2001)
• [Publications] T.Ono: "Development of First-Principle Moleculer-Dynamics Simulation Program Based on Real-Space Finite-Difference Method"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 278-284 (2001)
• [Publications] S.Tsukamoto: "Electronic State Calculation for the Nanostructure Based on Lippmann-Schwinger Equation"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 285-289 (2001)
• [Publications] Y.Fujimoto: "First-Principle Calculation of Surface States on Semi-Infinite System"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 290-294 (2001)
• [Publications] H.Okada: "First-Principles Molecular-Dynamics Calculation and STI4 Observation of Dissociative Adsorption of C12 and F2 on Si(001) Surface"Proceedings of the COE International Symposium on Ultraprecision Science and Technology for Atomistic Production Engineering. 295-299 (2001)
• [Publications] 森勇藏: "プラズマCVMによるSOIの数値制御薄膜化-加工面のデバイス特性評価-"2001年度精密工学会秋季学術講演会講演論文集. 228 (2001)
• [Publications] 森勇藏: "数値制御プラズマCVMによるX線ミラーの加工に関する研究(第2報)"2001年度精密工学会秋季学術講演会講演論文集. 229 (2001)
• [Publications] 瀧野日出雄: "プラズマCVMによる光学部品の超精密加工-薄肉光学部品の加工特性-"2001年度精密工学会秋季学術講演会講演論文集. 230 (2001)
• [Publications] 柴原正文: "プラズマCVMにおける高融点金属材料の加工特性"2001年度精密工学会秋季学術講演会講演論文集. 231 (2001)
• [Publications] 森勇藏: "プラズマCVMにおける基礎研究-単結晶シリコンの加工における加工条件と表面粗さの相関-"2001年度精密工学会秋季学術講演会講演論文集. 233 (2001)
• [Publications] Hideo Takino: "Removal Characteristics of Plasma Chemical Vaporization Machining with a Pipe Electrode"Proc. 2nd International Conference of European Society for Precision Engeneering and Nanotechnology. 58-61 (2001)
• [Publications] Y.Mori: "Developuient of plasma chemical vaporization machining and elastic emission machining systems for coherent x-ray optics"Proc. SPIE 4501. 30-42 (2001)
• [Publications] 山内和人: "Elastic Emission Machining における表面原子除去過程の解析とその機構の電子論的な解釈"精密工学会誌. 68・3. 456-460 (2002)
• [Publications] 森勇藏: "EEM(Elastic Emission Machining)による超精密数値制御加工に関する研究(第3報)-形状修正加工の高精度化-"2001年度精密工学会秋季学術講演会講演論文集. 239 (2001)
• [Publications] 森勇藏: "超清浄EEM(Elastic Emission Machining)システムに関する研究(第2報)-原子像による加工表面の評価-"2001年度精密工学会秋季学術講演会講演論文集. 238 (2001)
• [Publications] 森勇藏: "プラズマCVMおよびEEMによるX線光学素子の加工と放射光による評価"2001年度精密工学会秋季学術講演会講演論文集. 240 (2001)
• [Publications] 森勇藏: "プラズマCVMおよびEEMによるシンクロトロン放射x線用楕円ミラーの作製と集光特性の評価"精密工学会誌. (投稿中).
• [Publications] 森勇藏: "超清浄EEM(Elastic Emission Machining)加工システム開発-加工表面の原子レベルでの評価-"2001年度精密工学会秋季学術講演会講演論文集. (2002)
• [Publications] 森勇藏: "数値制御プラズマCVMおよび数値制御EEMによる硬X線集光用超標精密非球面ミラーの加工"2001年度精密工学会秋季学術講演会講演論文集. (2002)
• [Publications] 森勇藏: "数値制御プラズマCVMおよびEEMによるX線平面ミラーの加工と放射光による評価"2001年度精密工学会秋季学術講演会講演論文集. (2002)
• [Publications] 森勇藏: "プラズマCVMによるSOIの数値制御薄膜化-薄膜化した8インチSOIウエハのデバイス特性-"2001年度精密工学会秋季学術講演会講演論文集. (2002)
• [Publications] Kazuto YAMAUCHI: "Figuring with subnanoineter-level accuracy by numerically controlled elastic emission machining"Review of Scientific Instruments. (投稿中).
• [Publications] Kazuto Yamauchi: "Nearly diffraction-limited line focusing of hard X-raybeaia with elliptically figured mirror"Synchrotoron Radiation. (投稿中).
• [Publications] 森勇藏: "大気圧プラズマCVDによるSiの高速エピタキシャル成長"2001年度精密工学会秋季学術講演会講演論文集. 249 (2001)
• [Publications] 森勇藏: "大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究(第3報)-高速形成a-Si薄膜の電気・光学特性-"精密工学会誌. 67・5. 829-833 (2001)
• [Publications] 江畑裕介: "大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究-太陽電池変換効率のパラメータ依存性について-"2001年度精密工学会秋季学術講演会講演論文集. 252 (2001)
• [Publications] 森勇藏: "大気圧プラズマCVDにより高速形成したa-SiC薄膜の光学的特性"2001年度精密工学会秋季大会講演論文集. 248-248 (2001)
• [Publications] 森勇藏: "大気圧プラズマCVDによるSiの高速エピタキシャル成長(第2報)-成膜温度と投入電力が結晶性に及ぼす影響-"2002年度精密工学会春季学術講演会講演論文集. (2002)
• [Publications] 江畑裕介: "大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究"2002年度精密工学会春季学術講演会講演論文集. (2002)
• [Publications] 中濱康治: "回転電極型大気圧プラズマCVD法によるSiNx膜の成膜過程に関する研究"2001年度精密工学会秋季学術講演会講演論文集. 247 (2001)
• [Publications] 中濱康治: "回転電極型大気圧プラズマCVD法によるSiNx膜の成膜過程に関する研究-SiH4/NH3系成膜-"2002年度精密工学会春季学術講演会講演論文集. (2002)
• [Publications] 森勇藏: "超純水のみによる電気化学的加工システムの開発と平坦化加工プロセスへの応用"精密工学会誌. (投稿中). (2002)
• [Publications] 森勇藏: "超純水のみによる電気化学的加工システムの開発と平坦化加工プロセスへの応用"精密工学会2001年度秋季学術講演会講演論文集. 227-227 (2001)
• [Publications] 後藤英和: "超純水のみによる電気化学的加工プロセスの第一原理分子動力学シュミレーション"超精密. 11(印刷中). (2001)
• [Publications] 森勇藏: "超純水のみによる電気化学的加工法のダマシン配線形成プロセスへの応用"精密工学会2002年度春季大会学術講演会講演論文集. (発表予定). (2002)
• [Publications] 森勇藏: "超純水のみによる電気化学的加工法の研究-Si(001)水素終端化表面のOH-イオンによる加工現象の第一原理分子動力学シュミレーション-"精密工学会誌. 67・7. 1159-1163 (2001)
• [Publications] 後藤英和: "超純水のみによる電気化学的加工法の研究-Si(001)水素終端化表面原子のOHによる加工現象の反応素過程-"精密工学会誌. 67・7. 1169-1174 (2001)
• [Publications] 後藤英和: "超純水のみによる電気化学的加工法の研究-陰極Si(001)表面における除去加工現象の第一原理分子動力学シュミレーション-"精密工学会誌. 67・10. 1680-1686 (2001)
• [Publications] 森勇藏: "超純水のみによる電気化学的加工法の研究-陰極表面における加工現象"精密工学会誌. (投稿中).
• [Publications] 森勇藏: "超純水のみによる電気化学的加工法の研究-触媒反応を利用した超純水のOH-イオンの増加方法"精密工学会誌. 67・6. 932-936 (2001)
• [Publications] 後藤英和: "超純水のみによる電気化学的加工法の研究-水素終端化されていないSi(001)表面原子とOHとの反応素過程-"精密工学会誌. 67・8. 1321-1326 (2001)
• [Publications] 後藤英和: "超純水のみによる電気化学的加工法の研究-陽極Si(001)表面の反応素過程-"精密工学会誌. 67・9. 1438-1442 (2001)
• [Publications] 後藤英和: "超純水のみによる電気化学的加工法の研究-陰極表面における加工現象-"精密工学会2001年度秋季大会学術講演会講演論文集. 225-225 (2001)
• [Publications] 後藤英和: "超純水のみによる電気化学的加工法の研究-加工現象の第一原理分子動力学シュミレーション-"精密工学会2001年度秋季大会学術講演会講演論文集. 224-224 (2001)
• [Publications] 後藤英和: "超純水のみによる電気化学的加工法の第一原理分子動力学シュミレーション-陰極におけるAl(001)表面加工現象"精密工学会2001年度秋季大会学術講演会講演論文集. 226-226 (2001)
• [Publications] 森勇藏: "超純水超高速せん断流によるシリコンウエハ表面の洗浄-汚染微粒子の除去特性-"精密工学会2002年度春季大会学術講演会講演論文集. (発表予定). (2001)
• [Publications] 押鐘寧: "3次元境界要素法を用いた走査型近接場光学顕微鏡用の微粒子プローブ周りの電磁場伝搬解"2001年度精密工学会秋季学術講演会講演論文集. 208-208 (2001)
• [Publications] Yasushi Oshikane: "CFx Radicals and Electric Field Measurement in Capacitive VHF Plasma at Atmosphere by Laser Induced Fluorescence and Optical Emission Spectroscopy"Proceedings of XXV ICPIG (International Conference on Phenomena in Ionized Gases)(Nagoya, Japan). 1. 181-182 (2001)
• [Publications] Hiromi Okada: "Detai led analysis of scanning tunneling microscopy images of the Si(001) reconstructed surface with buckled dimmers"Phys. Rev. B. 63・19. 195324-195327 (2001)
• [Publications] 稲垣耕司: "EEM(Elastic Emission Machining)における表面原子除去能率の考察"日本物理学会講演概要集. 57・1(to be pulished). (2002)
• [Publications] 森田諭: "昇温過程精密制御よる極薄シリコン酸化膜形成"第62回応用物理学会学術講演会講演予稿集. 628-628 (2001)
• [Publications] 奥山敦: "極薄シリコン酸化膜電気的特性の超純水洗浄依存性"第62回応用物理学会学術講演会講演予稿集. 628-628 (2001)
• [Publications] Satoru MORITA: "Tunneling Current through Ultra-Thin Silicon Dioxide Films Formed by Controlling Preoxide in Heating-up"Extended Abstracts of International Workshop Gate Insulatorot. 110-113 (2001)
• [Publications] N.Hirashita: "Study on temperature calibration of a silicon substrate in a temperature prograimned desorption analysis"Journal of Vacuum Science & Technology A. 19・4. 1255-1260 (2001)
• [Publications] Atsushi OKUYAMA: "Effects of Wafer Cleaning with Ultrapure Water on Tunneling Current through Ultra-Thin Silicon Dioxide Films"Extended Abstracts of the 7th Workshop on FOR MATION, CHARACTERIZATION AND RELIABILITY OF ULTRATHIN SILICON OXIDES. 241-244 (2002)
• [Publications] Yasushi Oshikane: "Electric Impedance Measurement and Pulsed OPO Laser Induced Fluorescence Study of Capacitevely Coupled VHF Plasma (He/CF4/02) at Atmospheric Pressure for Chemical Vaporization Machining (CVM) Process"Bulletin of The American Physical Society, Program of The 54th Annual Gaseous Electronics Conference. 46・6. 62-62 (2001)
• [Publications] Satoru MORITA: "Formation of Ultra-thin Silicon Dioxide Films under Muiulti-Temaperature Condition"Extended Abstracts of the 7th Workshop on FORMATION, CHARACTERIZATION AND RELIABILITY OF ULTRATHIN SILICON OXIDES. 165-168 (2002)
• [Publications] 青野正和: "ナノワイヤーの電気伝導"学術月報. 54. 989-995 (2001)
• [Publications] 尾上順: "フラーレンポリマーの構造・性質・応用?新しいパイ電子共役系炭素物質相?"材料科学. 38. 241-249 (2001)
• [Publications] 中山知信: "マクロとミクロをむすびつけるために-フラーレンポリマー形成のナノスコピック観察-"バウンダリー誌. 17. 30-36 (2001)
• [Publications] J.Onoe: "A New form of carbon material using C60 fullerene"RIKEN Review. No.38. 7-8 (2001)
• [Publications] J.Nakamura: "Anisotropic electronic structure of the Si(111)-(4x1) In surface"Phys. Rev.. B63. 193307-1-193307-4 (2001)
• [Publications] Y.Okawa: "Linear chain polymerization initiated by a scanning tunneling microscope tip at designated positions"J. Chem. Phys.. 115. 2317-2322 (2001)
• [Publications] T.Kobayashi: "Luminescence from Er-doped Si film grown by solid phase epitaxy"RIKEN Review. No.38. 23-25 (2001)
• [Publications] T.Yamazaki: "Mutual inductance of small solenoid coil equipped with scanning tunneling electron microscope"Materials Transactions. 42. 1705-1709 (2001)
• [Publications] Y.Okawa: "Nanowire connection using chain polmerization"RIKEN Review. No.37. 3-6 (2001)
• [Publications] K.Terabe: "Quantum point contact switch realized by solid electrochemical reaction"RIKEN Review. No.37. 7-8 (2001)
• [Publications] 大川祐司: "分子の鎖でナノワイヤーをつくる"化学. 57. 21-23 (2002)
• [Publications] H.Sakurai: "Scanning tunneling microscope-induced light emission from nanostructures formed by Ag clusters"Phys. Rev.. B64. 045402-1-045402-4 (2001)
• [Publications] J.Nakainura: "Structural and cohesive properties of a C60 monolayer"Phys. Rev. Lett.. 87. 048301-1-048301-4 (2001)
• [Publications] J.Nakamura: "Structural stability and electronic states of gold nanowires"Surf. Sci.. 482-485. 1266-1271 (2001)
• [Publications] S.Nakatani: "Study of the Si(111)" 5x5" -Cu surface structure by X-ray diffraction and scanning tunneling microscopy"Jpn. J. Appl. Phys.. 40. L695-L697 (2001)
• [Publications] J.Onoe: "The Nanostructure of C60 Photopolymers"Springer Series in Cluster Physics "Cluster and Nanomaterials", Eds. Kawazoe, Kondow, Ohno, Springer-Verlag, Berlin. 135-169 (2002)