トンネル素子における散乱機構のフォノンパルスによる研究

1997 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 09044175
• Research Institution: Kyushu Institute of Technology
• Principal Investigator: 宮里 達郎 九州工業大学, 情報工学部, 教授 (90029900)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): KRIER A. Lancaster大学, 物理化学部, 講師 ; JONES R.K Lancaster大学, 物理化学部, 上級講師 ; WIGMORE J.K Lancaster大学, 物理化学部, 上級講師 ; 孫 勇 九州工業大学, 情報工学部, 助手 (60274560) ; 浅野 種正 九州工業大学, マイクロ化総合技術センター, 教授 (50126306)
• Keywords: SiGe系 / トンネル素子 / トンネル電流 / 短いパルス / GaAs / GaAlAs系

Research Abstract

本研究において、SiGeをSfウェハ上に、エピタキシャルに、MBE法で成長させたトンネル素子について、Insec程度の短いパルス電子を流し、トンネル電流によって共鳴的に発生するフォンパルスを起伝導ボロメータによって検出する事によって、トンネル素子におけるトンネル電流とフォノン系との相互作用を調べる方法を確立する事であったが、SiGe膜については、まず、トンネル効果を明確に示すサンプルが、なかなか、成功しない事がわかり、その他りとして、ガリウムヒソによる素子を入手する事によって、このGaAs/GaAlAs構造については、共鳴する事を見出す事が可能となった。しかし、定量的なデータを得るまでには至らなかった。今後の課題として、SiGe系のトンネル素子の入手がやはり重要と思われる。SiGe系は、格子定数のミスマッチによる、大きな歪が本質的に重要な役割をはたしているので、この方法によって、電子系とフォノン系の相互作用を調べたい。

Research Products

• [Publications] N.Sonoda, Y.Sun and T.Miyasato: "Behaviors of Carbon at Initial Stages of SiC Film Grown on Thermally Oxidized Si Substrato." Jpn.J.Appl.Phys.36. L1641-L1644 (1997)
• [Publications] Y.Sun, T.Miyasato. J.K.Wigmore, N.Sonoda, Y.Wataru: "Cheracterization of 3C-SiC films grown on mono-crystalline Si by reactive hydrogen sputtering." J.Appl.Phys.82. 2334-2341 (1997)
• [Publications] Y.Sun and T.Miyasato: "Loss Behavior of Si Substrate during Growth of the SiC Films Prepared by Hydrogen Plasma Souttering." Jpn.J.Appl.Phys.36. L1071-L1074 (1997)
• [Publications] Y.Sun, T.Miyasato and J.K.Wigmore: "Possible Origin for (110) Oriented Growth of Grains in Hydrogen at ed Microciystalline Silicon Films." Appl.Phys.Lett.70. 508-510 (1997)
• [Publications] A.G.Kozorezov.J.K.Wigmore and T.Miyasato: "Heat Pulse scattering from Rough,Surfaces with Longrange Irregularity." Physica.B. 219and220. 748-750 (1996)
• [Publications] A.G.Kozorezov.J.K.Wigmore and T.Miyasato: "Heat Pulse Sattering at Rough Surface : Reflection." J.Phys,: Condens.Matter.8. 1-14 (1996)