1997 Fiscal Year Annual Research Report
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09355003
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Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Research Institution | Kyoto University |
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Principal Investigator |
万波 通彦 京都大学, 工学研究科, 教授 (60025294)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
中嶋 薫 京都大学, 工学研究科, 助手 (80293885)
木村 健二 京都大学, 工学研究科, 助教授 (50127073)
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| Keywords | RBS / 高分解能 / エピタキシャルシャル成長 / 熱振動 / 反跳粒子検出法 / 水素分析 |
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| Research Abstract |
通常の実験室に設置可能な、超小型の加速器を設置しその性能評価を行ない、高分解能RBSに必要な性能を有することを確認した。また、高分解能RBSに最適な磁場型エネルギー分析器の設計を行なった。これらと並行して、従来のヴァンデグラーフ型加速器を用いた高分解能RBS装置を使った研究を進め、多くの知見を得た。
まず、GaAs(001)上のZnSeのエピタキシャル成長時に、表面に存在するTeの効果を明らかにした。(J.Vac.Sci.Technol.B 15(1997)1254-1259,phys.stat sol.202(1997)657-668)
また、高分解能RBS法により、表面原子の熱振動振幅を1原子層ごとに測定する事ができる可能性を示した。(Application of Accelerators in Research and Industry,edited by J.L.Duggan and I.L.Morgan(AIP press,New York,1997)pp.623-626)
さらに、PbTe(111)表面の再構成について高分解能RBS法による測定から、最表面がPbの原子層でありその面密度がバルクの値の25%程度になっていることを発見した。(Nucl.Instr.and Methods in Phys.Res.B(1998)in press)
また、高分解能RBS法では測定ができない水素の分析のために、高分解能反跳粒子検出法を開発し、シリコン表面に吸着した水素を測定し、深さ分解能028nmに相当するエネルギー分解能を得ることができた。(Nucl.Instr.and Methods in Phys.Res.B(1998)in press)
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[Publications] K.Kimura: "Growth mode and defect generation in ZnSe heteroepitaxy on Te-terminated GaAs(001) surfeces" J.Vac.Sci.Technol.B. 15. 1254-1259 (1997)
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[Publications] K.Kimura: "Heterovalent ZnSe/GaAs Interfaces" phys.stat.sol.202. 657-668 (1997)
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[Publications] K.Nakajima: "The (111)surface of PbTe observed by high-resolution RBS" Nucl.Instr.and Methods in Phys.Res.B. (in press). (1998)
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[Publications] K.Kimura: "Some applications of high-resolution RBS and ERD using a magnetic spectrometer" Nucl.Instr.and Methods.in phys.Res.B. (in press). (1998)
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[Publications] K.Kimura: "Hydrogen depth profiling with sub-nm resolution in high-resolution ERD" Nucl.Instr.and Methods in Phys.Res.B. (in press). (1998)
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[Publications] K.Kimura: "Defect generation in layer-by-layer-grown ZnSe films on Te-terminated GaAs(001) surfaces" Phys.Rev.B. 57,3. 1410-1413 (1998)
