1998 Fiscal Year Annual Research Report
原料ガスのイオン化による無発塵CVD成膜装置の開発
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09555240
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| Research Institution | Osaka Prefecture University |
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Principal Investigator |
足立 元明 大阪府立大学, 先端科学研究所, 講師 (40100177)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
藤井 敏昭 荏原総合研究所, UV/光電子利用技術開発室, 主任研究員
奥山 喜久夫 広島大学, 工学部, 教授 (00101197)
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| Keywords | 減圧CVD / 薄膜 / イオンクラスター / UV励起 / 光電子放出 / イオン化 / TEOS |
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| Research Abstract |
本研究の目的は、申請者たちが提案した全く新しいCVD成膜法「イオン化成膜法」を用いた微粒子発生を伴わない「無発塵CVD成膜装置」の試作およびその評価である。本年度は、昨年試作した「無発塵CVD成膜装置」を用いてSi基板へTEOS/O_3膜の作成とその膜の分析、SEM観察および粒子の測定を行った。圧力10〜50torrでUV照下で成膜したときの膜の成長速度は、UV照を行わなかったときより1.2〜1.5倍速くなった。得られた膜のFT-IRスペクトルは、これらの膜がSiO_2膜であることを示した。UV照射時に作成した膜のFT-IRスペクトルおよびSEM写真は、非照射時に作成したものと同じであった。昨年分担者の広島大学、奥山が開発に成功した数100〜10torr対応のエアロゾル静電粒径測定装置を用いて、50torrでの粒子発生を調べたところ、UV照射時には粒径数10nmの粒子の発生が20〜30%抑制された。荏原総合研究所の藤井は、UV/光電子放出材の試作および1〜50torrの減圧場で光電子放出量の測定を金-ITO、亜鉛-ITOなどの島状薄膜に関して行なった。膜の成長速度を上げるためには、現在の10倍程度の放出電流値が必要であることから、引き続き材料および照射UVの最適波長の検討を行っている。分担者の広島大学、奥山は、減圧場で発生する微粒子のエアロゾル静電粒径測定を行うため、昨年の10torr対応のエアロゾル静電粒径測定装置を1torrで使用できるように改良中である。
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[Publications] T.Fujimoto,K.Okuyama,S.Yamada and M.Adachi: "Vapor-Cluster/Particle Condeposition in APCVD Process using Four Organic Silicon Vapors (TEOS,TEMOS,OMCTS,TRIES) and Ozone Gas" J.Appl.Phys.印刷中. (1999)
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[Publications] M.Shimada,K.Okuyama,Y.Inoue,M.Adachi and T.Fujii: "Removal of Airborne Prticles by a Device Using UV/Photoelectron Method under Reduced Pressure Conditions" J.Aerosol Sci.30・3. 341-353 (1999)
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[Publications] M.Shimada,K.Okuyama,M.Adachi and T.Fujii: "Aerosol particle removal at reduced pressure by an electrical precipitator using UV/photoelectron method." Proc.of the 1998 International Aerosol Conference,J.Aerosol Sci.,Supplement. 29・S1. S1237-S1238 (1998)
