1999 Fiscal Year Annual Research Report
大強度陽子加速器に於けるセラミックダクトの低インピーダンスREシールディング開発
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10440082
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| Research Institution | High Energy Accelerator Research Organization |
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Principal Investigator |
陳 栄浩 高エネルギー加速器研究機構, 加速器研究施設, 助教授 (60270394)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
高田 耕治 高エネルギー加速器研究機構, 加速器研究施設, 教授 (10044760)
魚田 雅彦 高エネルギー加速器研究機構, 加速器研究施設, 助手 (70262045)
斉藤 芳男 高エネルギー加速器研究機構, 加速器研究施設, 助教授 (00141979)
早野 仁司 高エネルギー加速器研究機構, 加速器研究施設, 助教授 (00173055)
山崎 良成 高エネルギー加速器研究機構, 加速器研究施設, 教授 (90011759)
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| Keywords | ハドロン / セラミック / ビームダクト / 低インピーダンス / RFシールディング / 陽子加速器 / シンクロトロン / 大電流 |
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| Research Abstract |
本研究は高エネルギー加速器研究機構が推進している大型ハドロン計画(JHF)で使用されるセラミックダクトのためのRFシールディングを設計開発することを目的としている。平成11年度では前年度に試作した直径200mm,長さ400mmのダクトを3本ガラス接合し,長尺セラミックダクトを製作した。この内面に,ホロカソードプラズマ放電によるイオンプレーティングを用いて,窒化チタン薄膜をコーティングした。得られた薄膜について,オージェ電子分光・走査トンネル電子顕微鏡で観察し,イオンプレーティング時における,アルゴン・窒素ガス分圧,加熱温度の膜質へ及ぼす影響について調べた。また,このダクトのガス放出速度をコンダクタンス変調法により測定し,真空排気特性,とくに水分子の吸着・脱離過程について通常の金属表面と比較した。12GeV電子ビームを前年度用意した各種セラミック試料に照射し,ガラス接合部分の機械的強度の劣化,帯電等を測定し評価を行った。
セラミックダクトの研究と合わせて、大電力用RF窓の開発も行った。前年度ではロシアBINP研究所のKazakov氏を招聘し、共同で新型のRF窓を設計したが、今年度は大電力モデルを試作し、大電力試験を高エネルギー加速器研究機関とアメリカSLACと共同で行った。その結果、開発目標である100MW、1.5マイクロ秒、繰り返し30Hzのパルスに十分耐えられることが確認された。
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