1999 Fiscal Year Annual Research Report
ゲルマニウム-遷移金属間の結合形成反応に関する研究
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10640529
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| Research Institution | Gakushuin University |
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Principal Investigator |
持田 邦夫 学習院大学, 理学部, 教授 (20118772)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
南条 真佐人 学習院大学, 理学部, 助手 (50302352)
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| Keywords | ビスゲルミル化 / ジゲルミル白金錯体 / 還元的脱離 / T型中間体 / ジゲルマン / アセチレン類 |
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| Research Abstract |
アセチレン類とジゲルマンおよび環状オリゴゲルマンのゲルマニウム-ゲルマニウム結合への挿入反応を遷移金属錯体を用いて研究した。1)最も単純なヘキサジゲルマンのゲルマニウム-ゲルマニウム結合へのアセチレン類への挿入反応が0価の白金錯体を用いることにより、穏やかな反応条件で、収率よく進行すること、一方、高歪み環状ゲルマニウム化合物では2価のパラジウム錯体を用いると良好に反応が進むことを初めて見いだした。2)触媒サイクルの鍵中間体であるジゲルミル(第3級ホスフィン)白金錯体(II)およびゲルミル(ゲルミルビニル)白金錯体(II)を合成、あるいは単離し、X-線結晶構造解析から構造を明確にし、それぞれの反応性を研究した。3)ジゲルミル(第3級ホスフィン)白金錯体(II)とアセチレンの反応およびゲルミル(ゲルミルビニル)白金錯体(II)の熱反応においてホスフィンの添加実験により、いずれの還元的脱離反応も5配位中間体よりむしろT型中間体を経由することを明確にした。またその際生じる白金錯体(0)もジェフェニルアセチレン類で捕捉することに成功した。
これら一連の研究を通して白金触媒下ビスゲルミル化反応がほぼ解明出来た。
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