1998 Fiscal Year Annual Research Report
パルス化した放電プラズマによるダイヤモンド膜の気相成長
Project/Area Number |
10650008
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Research Institution | Aichi University of Education |
Principal Investigator |
野田 三喜男 愛知教育大学, 教育学部, 教授 (10024324)
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Keywords | ダイヤモンド膜 / プラズマCVD / パルス放電 / 間欠放電 / 電極間距離 / 補助電極 / アルミニュウム基板 / 膜質の制御 |
Research Abstract |
1. これまでのパルス放電プラズマ化学気相成長(CVD)装置を改良し,各周期の放電時間(Td)と放電停止時間(Tn)を独立に制御できるようにし,TdとTnによる膜質の変化について調べた.その結果,Tdを0.5ms程度に短くし,Tnを3ms程度に長くすると,結晶性がよくなることが明らかとなった.また,AI基板上にコートした場合は,Tnが短いとアルミニュウムカーバイドが形成され,長くするとダイヤモンド膜が成長することも見出した.(SSAM-4と1998年秋の応物学会(16p-N-10)で発表) 2. 放電を半波整流波形でおこなう間欠放電プラズマCVDで試料を作製する場合,電極間距離を20mm程度にすると,10および30mmの場合にくらべて結晶性がよくなることを見出した.また,この実験をおこなうため,陰極近傍に補助電極を設置し,長い電極間距離や低電流で安定した放電をおこなうことができるようにする方法を考案した.(ICRP-4/SPP-16で発表) 3. 補助電極と陰極間で安定した放電をおこなうようにし,試料(陽極)と陰極間の放電を安定化させ,試料のバイアス電圧によっても放電電流を制御できる方法を用いて,パルス放電プラズマCVD法でダイヤモンド膜の作製をおこなった.その結果,Td=0.5msとし,Tn=2msとすると,成膜速度があまり減少せず結晶性の良いダイヤモンド膜が得られることが明らかになった.(1999年春の応物学会で発表予定) なお,これらの結果に対応するプラズマの発光スペクトルの測定を現在おこなっている.
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Research Products
(2 results)
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[Publications] Mikio NODA: "Formation of Diamond Films onto Aluminum Substrate by Pulsed Discharge Plasma Chemical Vapor Deposition." Proc.of 4th Special Symposium on Advanced Materials.(SSAM-4). 287-290 (1998)
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[Publications] Mikio NODA: "Formation of Diamond Films by Intermittent DC Plasma Chemical Vapor Deposition using Sub-electrode." Extended Abstract of 4th Int.Conf.on Reactive Plasmas and 16th Sym.on Plasma Processing.(ICRP-4/SPP-16). 97-98 (1998)