1999 Fiscal Year Annual Research Report
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10650053
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
細田 直江 東京大学, 先端科学技術研究センター, 助手 (50280954)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
伊藤 寿浩 東京大学, 先端科学技術研究センター, 助教授 (80262111)
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| Keywords | プローブエッチング / 走査型力顕微鏡 / フリッティング / ウェハプローブカード / ICテスト / 接触抵抗 |
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| Research Abstract |
本年度は、まず、半導体素子検査用のアクティブプローブカードへの応用を目的とし、局所的なプローブ加工法の一つと言える一種の絶縁破壊現象="フリッティング"について検討した。具体的には、フリッティングに必要なプローブ接触力および接触後の御着力を測定した。その結果、ICパッド材料であるAl膜を対象とした場合には、Auめっきプローブを用いたフリッティングにより、外部から力(接触力)を与えなくても0.3Ω以下の低抵抗コンタクトが得られることがわかった。また、その凝着力は0.3mN程度であり、マイクロマシンタイプのアクティブプローブカードの実現可能性が示された。
また、フリッティングプロセスの微小力領域での接触力依存性、表面の加工痕の有無などを調べるため、走査型力顕微鏡(SFM)をベースにして、Au導電性カンチレバーにAuめっきを施したレバーを用いる装置を構築し、基本動作の確認およびフリッティング現象の確認を行った。
さらに、Au導電性カンチレバーを用いたダイナミック走査型力顕微鏡システムにより局所的にプラズマ加工が可能な装置を構築し、反応ガスとしてはCF_4を用いてSi表面の局所加工を試みた。バックグラウンド真空度を1x10^<-5>Torrとし、0.1〜1.0mTorrまでCF_4ガスを導入し、ダイナミック(周期的接触)モードで動作させた状態で、プローブ―試料間に10V以下の電圧を印加したが、これらの条件ではダイナミックモードのSFMで観察が可能な穴などは観察されなかった。
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[Publications] Toshihiro Itoh: "Applicability of MEMS Probe Card to Wafer-Level Test"Proceedings of InterPACK'99 (Advances in Electronic Packaging 1999). 123-130 (1999)
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[Publications] 伊藤寿浩: "シリコンマイクロマシニングを利用したウエハプローブカード"1999年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集. 378 (1999)
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[Publications] Toshihiro Itoh: "Characteristics of fritting contacts utilized for micromachined wafer probe cards"Review of Scientific Instruments. 71・5(掲載予定). (2000)
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[Publications] 片岡憲一: "MEMSプローブカードのための低接触カフリッティングコンタクト"2000年度精密工学会春季大会学術講演会講演論文集. (掲載予定). (2000)
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[Publications] Toshihiro Itoh: "MEMS IC test probe utilizing fritting contacts"Proceedings of DTIP 2000 (Symposium on Design,Test,Integration and Packaging of MEMS/MOEMS). (掲載予定). (2000)
