1999 Fiscal Year Annual Research Report
第2高調波エリプソメトリを用いた半導体の2次非線形光学特性に関する研究
Project/Area Number |
11305010
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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Research Institution | Meiji University |
Principal Investigator |
伊藤 良一 明治大学, 理工学部, 教授 (40133102)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
三浦 登 明治大学, 理工学部, 講師 (10257131)
立川 真樹 明治大学, 理工学部, 助教授 (60201612)
崔 博坤 明治大学, 理工学部, 教授 (30143530)
尾鍋 研太郎 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (50204227)
近藤 高志 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教授 (60205557)
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Keywords | 非線形光学 / 2次非線形光学定数 / BBo / CLBO / GaAs / ZnSe / 赤外 |
Research Abstract |
β-BaB_2O_4、CsLiB_6O_<10>、GaAs、ZnSeの2次非線形光学定数を絶対測定により決定した。 1.β-BaB_2O_4、CsLiB_6O_<10>は紫外吸収端がそれぞれ189nm、180nmと短いために紫外域への波長変換用として重要な非線形光学結晶である。しかしそれらの2次非線形光学定数はこれまで基本波1.06μmにおける値しか知られていなかった。今回、基本波波長532nm(光源:半導体レーザ励起周波数逓倍Nd:YAGリングレーザ)における絶対測定をウェッジ法によりおこない、紫外域第2高調波波長に対する2次非線形光学定数をはじめて決定した。この結果は今後短波長における2次非線形光学定数の標準値として利用されるだろう。 得られた値は d_<22>(β-BaB_2O_4)=2.6pm/V、d_<36>(CsLiB_6O_<10>)=0.92pm/Vである。 2.GaAs、ZnSeは大きな2次非線形光学定数をもつ半導体である。可視〜中赤外域用の波長変換材料として有望で、光ファイバ通信、レーザ加工用などへの応用が期待される。しかし、これまで近赤外〜中赤外域での2次非線形光学定数の値は測定されていない。今回半導体レーザを光源としてウェッジ法により基本波波長1.313μmおよび1.548μmにおける2次非線形光学定数の絶対測定をおこなった。得られた値は予備的なもので次年度正確な値を決定する予定である。さらに、今年度購入した2μmの半導体レーザ光源を使い測定をさらに長波長側にのばす。
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[Publications] P.-K.Choi et al.: "Acoustic nonlinearity parameter measurement using optical beam deflection by ultrasonic waves"J.Acoust.Soc.Jpn.. 20・4. 313-318 (1999)
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[Publications] P.-K.Choi et al.: "Experimental observation of pseudocapillary and Rayleigh modes on soft gels"J.Acoust.Soc.Am.. 106・3. 1591-1593 (1999)
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[Publications] K.Fukuda et al.: "Frequency Stabilization of a Diode Laser with a Thin Cs-Vapor Cell"IEEE Trans.Ultrason.Ferroelectr.Freq.Contr.. 47(in Press). (2000)
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[Publications] S.Koh et al.: "GaAs/Ge/GaAs Sublattice Reversal Epitaxy on GaAs (100) and (111) Substrate for Nonlinear Optical Devices"Jpn.J.Appl.Phys.. 38・5A. L508-L511 (1999)
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[Publications] E.Nishina et al.: "Design and Fabrication of Organic Waveguiding Devices for Quasi-Phase-Matched Second-Harmonic Generation"Nonlinear Opt.. 22・1-4. 433-436 (1999)
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[Publications] S.Koh et al.: "Characterization of Sublattice-Reversed GaAs by Reflection High Energy Diffraction and Transmission Electron Microscopy"Physica E. 7・3-4(in press). (2000)
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[Publications] S.Nakatani et al.: "Study of Sublattice Inversion in GaAs/Ge/GaAs(001) Crystal by X-ray Diffraction"Appl.Surf.Scl.. (in press). (2000)
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[Publications] N.MIURA et al.: "High-Luminance Blue-Emitting BaA12S4:Eu Thin-Film Electroluminescent Devices"Jpn.J.Appl.Phys.. 38・11B. L1291-L1292 (1999)
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[Publications] I.Shoji et al.: "Absolute measurement of second-order nonlinear-optical coefficients of beta-BaB204 for visible to ultraviolet second-harmonic wavelengths"J.Opt.Soc.Am.B. 16・4. 620-624 (1999)
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[Publications] I.Shoji et al.: "International Trends in Optics and Photonics,ICO IV"Springer-Verlag,Berlin(分担). 425 (1999)