1999 Fiscal Year Annual Research Report

高密度VHFプラズマによる薄膜堆積と質量分析、発光時空分光、赤外分光、同時診断

Research Project

Project/Area Number	11450116
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Research Institution	Muroran Institute of Technology
Principal Investigator	伊藤秀範室蘭工業大学, 工学部, 教授 (70136282)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	下妻光夫北海道大学, 医療技術短期大学部, 教授 (70041960) 佐藤孝紀室蘭工業大学, 工学部, 助教授 (50235339) 田頭博昭室蘭工業大学, 工学部, 学長 (10001174)
Keywords	RF プラズマ / 発光分光 / 質量分析 / FTIR / 有機シリコン / プラズマリアクタ / 薄膜堆積 / SiC膜
Research Abstract	本研究の目的は,申請者が構築した発光分光診断法に質量分析法とフーリエ変換赤外分光(FTIR)法を加えた3方法同時診断技術を開発し,これを用いて有機シリコン材料による各種シリコン系薄膜生成法の評価を行うことである。これまでの成果は以下の通り。 (1)現有する容量結合形のステンレス製リアクタの上蓋フランジ周辺とパワー電極系を設計製作して,ガスフロー構造を改善し,プラズマリアクタをセットアップした。また,油回転ポンプのクリーン装置を導入して排気系のメンテナンスフリー期間延長を実現した。 (2)架台を製作し,リアクタをFTIR装置と検出器で挟んで配置して,光学系と結合させて診断装置を構築した。質量分析管をリアクタに対して垂直に据えて,プラズマ空間で生成される粒子の計測に備えた。常温で液体である有機シリコンとバッファガスをプラズマリアクタに導入するガス供給系を新たに加えることを予定していたが,時間切れとなった。 (3)電力,電流,電圧波形の記録用に導入したデジタルオシロスコープと質量分析管,計算機をGP-IBデジタル・バスで接続し,制御プログラムを作成した。 (4)分担者(下妻)を中心にして、ヘキサ・メチル・ジシランと水素の混合ガス、ならびにテトラ・メチル・シラン(TMS)と水素の混合ガスの50Hzプラズマを用いてそれぞれSiC薄膜堆積を行った。また、同じく50HzプラズマでTiN薄膜堆積を行い、それぞれの結果を学会発表した。TMSと水素混合ガスでは、基板加熱温度が650℃を越えると良質のSiC膜が堆積されることを、各種の膜評価結果から見出した。

Research Products

(6 results)

All Other

All Publications (6 results)

[Publications] M.Yoshino,M.Shimozuma,H.Date,A.Rodrigo,H.Tagashira: "Properties of TiN Films on Heated Substrate Below 550℃ by 50Hz Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition"Jpn J. Appl. Phys.. Vol.39. 359-362 (2000)
[Publications] M.Shimozuma,M.Yoshino,H.Date,H.Tagashira: "Deposition of a-SiC : H Films on Si Substrate by 50Hz Plasma CVD Uing Hexamethyldisilane +H_2"Proceedings of 14th Int. Conf. on Plasma Chemistry. Vol.14. 1415-1420 (1999)
[Publications] 下妻光夫、伊達広行、吉野正樹、田頭博昭: "SiC薄膜生成におけるHMDS+H_2プラズマについて"電気学会放電研究会資料. ED-99-154. 37-42 (1999)
[Publications] 下妻光夫、伊達広行、吉野正樹: "電極加熱によるHMDS+H_2プラズマ発光スペクトルの挙動"平成11年度電気関係学会北海道支部連合大会. 157. (1999)
[Publications] 大久保雅彦、伊藤秀範、吉野正樹、伊達広行、下妻光夫: "TMS+H_2ガスのプラズマ分光とそれを材料としたSiC薄堆積"第35回応用物理学会北海道支部・第5回レーザー学会東北・北海道支部合同学術講演会. B-2. (2000)
[Publications] 大久保雅彦、伊藤秀範、吉野正樹、伊達広行、下妻光夫: "TMS+H_2低周波プラズマを用いたSiC薄膜堆積"2000年春季第47回応用物理学関係連合大会. 31p-ZL-2/II(発表予定). (2000)

1999 Fiscal Year Annual Research Report

高密度VHFプラズマによる薄膜堆積と質量分析、発光時空分光、赤外分光、同時診断

Principal Investigator

伊藤 秀範 室蘭工業大学, 工学部, 教授 (70136282)

Research Products

[Publications] M.Yoshino,M.Shimozuma,H.Date,A.Rodrigo,H.Tagashira: "Properties of TiN Films on Heated Substrate Below 550℃ by 50Hz Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition"Jpn J. Appl. Phys.. Vol.39. 359-362 (2000)

[Publications] M.Shimozuma,M.Yoshino,H.Date,H.Tagashira: "Deposition of a-SiC : H Films on Si Substrate by 50Hz Plasma CVD Uing Hexamethyldisilane +H_2"Proceedings of 14th Int. Conf. on Plasma Chemistry. Vol.14. 1415-1420 (1999)

[Publications] 下妻光夫、伊達広行、吉野正樹、田頭博昭: "SiC薄膜生成におけるHMDS+H_2プラズマについて"電気学会放電研究会資料. ED-99-154. 37-42 (1999)

[Publications] 下妻光夫、伊達広行、吉野正樹: "電極加熱によるHMDS+H_2プラズマ発光スペクトルの挙動"平成11年度電気関係学会北海道支部連合大会. 157. (1999)

[Publications] 大久保雅彦、伊藤秀範、吉野正樹、伊達広行、下妻光夫: "TMS+H_2ガスのプラズマ分光とそれを材料としたSiC薄堆積"第35回応用物理学会北海道支部・第5回レーザー学会東北・北海道支部合同学術講演会. B-2. (2000)

[Publications] 大久保雅彦、伊藤秀範、吉野正樹、伊達広行、下妻光夫: "TMS+H_2低周波プラズマを用いたSiC薄膜堆積"2000年春季第47回応用物理学関係連合大会. 31p-ZL-2/II(発表予定). (2000)

伊藤秀範室蘭工業大学, 工学部, 教授 (70136282)