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2004 Fiscal Year Annual Research Report

GaN系半導体ヘテロ構造における表面界面の原子レベル評価と物性制御

Research Project

Project/Area Number 14102010
Research InstitutionTohoku University

Principal Investigator

櫻井 利夫  東北大学, 金属材料研究所, 教授 (20143539)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 長尾 忠昭  独立行政法人物質・材料研究機構, ナノマテリアル研究所, 主幹研究員 (40267456)
藤川 安仁  東北大学, 金属材料研究所, 助教授 (70312642)
J・T サドウスキー  東北大学, 金属材料研究所, 助手 (40333885)
高村 由紀子 (山田 由紀子)  東北大学, 金属材料研究所, 助手 (90344720)
KeywordsIII-V族半導体 / 分子線エピタキシー(MBE) / 走査トンネル顕微鏡(STM) / 高速電子線回折(RHEED) / 表面再構成 / 薄膜 / ワイドバンドギャップ / ハロゲンエッチング
Research Abstract

本年度は、新旧二つの超高真空(UHV)分子線エピタキシー(MBE)-走査プローブ顕微鏡(SPM)システムを用いて、サファイアやSiCに代わる基板として期待されるSi上へのGaN膜の堆積と、GaNのハロゲンによるエッチングについて研究した。
新たに導入したUHVMBE-SPMシステムでは、堆積・分析チャンバー間での試料の受け渡しが超高真空下で可能となり、MBE装置でSi(111)上に堆積したAsの影響のないGaN膜表面の走査トンネル顕微鏡(STM)観察が可能となった。KセルからのGaと高周波窒素プラズマからの活性窒素から成長させたGaN膜の表面は高速電子線回折(RHEED)でその場観察され、基板温度、Kセル温度、プラズマ条件等を最適化することで原子分解能観察可能な平坦な表面を得ることに成功した。その表面に室温でGaを堆積することで、GaN(0001)のN極性面に関連した再構成表面構造が形成され、RHEEDとSTMで観察された。また最適条件から外れた条件で堆積された膜表面上には極性の反転したGaN結晶が混在しており、その様子をSTMで観察することに成功した。
旧UHVMBE-STMにハロゲンソースを導入し、室温でハロゲンをGaN(0001)のGa極性表面に供給した後に加熱を行い、その前後の表面形状をSTMで観察してエッチング素過程について調べた。Ga終端表面に対しては、Clによるエッチングはbilayer-by-bilayerで進行し、加熱温度が低い場合にはステップエッジエッチング、高い場合にはテラスエッチングが観察され、それぞれその原子構造に由来する素過程が提案された。N終端表面については、エッチングが確認されず、Ga終端表面との構造の相違などからその理由が考察された。以上、応用の際に重要なGaN(0001)のGa極性表面のハロゲンエッチング過程について重要な知見が得られた。

  • Research Products

    (6 results)

All 2005 2004

All Journal Article (6 results)

  • [Journal Article] Alkali metal adsorption on the Si(111)-7x7 surface2005

    • Author(s)
      K.H.Wu et al.
    • Journal Title

      Chinese Journal of Physics 43

      Pages: 197-211

  • [Journal Article] Enhanced oxidation of Ge(111) surface precovered with Na : scanning tunneling microscopy and X-ray photoemission spectroscopy study2004

    • Author(s)
      D.Jeon et al.
    • Journal Title

      Surface Science 559

      Pages: 141-148

    • Description
      「研究成果報告書概要(和文)」より
  • [Journal Article] Bilayer-by-bilayer etching of 6H-GaN(0001) with Cl2004

    • Author(s)
      S.Kuwano et al.
    • Journal Title

      Surface Science 561

      Pages: L213-L217

  • [Journal Article] Nanofilm allotrope and phase transformation of ultrathin Bi film on Si(111)-7x72004

    • Author(s)
      T.Nagao et al.
    • Journal Title

      Physical Review Letters 93

      Pages: 105501-1-105501-4

  • [Journal Article] Imaging of all dangling bonds and their potential on the Ge/Si(105) surface by noncontact atomic force microscopy2004

    • Author(s)
      T.Eguchi et al.
    • Journal Title

      Physical Review Letters 93

      Pages: 266102-1-266102-4

  • [Journal Article] Step-by-step cooling of a two-dimensional Na gas on the Si(111)-7x7 surface2004

    • Author(s)
      K.H.Wu et al.
    • Journal Title

      Physical Review B 70

      Pages: 195417-1-195417-4

URL: 

Published: 2006-07-12   Modified: 2016-04-21  

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