2017 Fiscal Year Research-status Report
ガラス基板上に配向を有するIGZO薄膜の形成メカニズムの解明
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16K04966
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| Research Institution | Aoyama Gakuin University |
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Principal Investigator |
重里 有三 青山学院大学, 理工学部, 教授 (90270909)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
岡島 敏浩 公益財団法人佐賀県地域産業支援センター九州シンクロトロン光研究センター, ビームライングループ, 主任研究員 (20450950)
賈 軍軍 青山学院大学, 理工学部, 助教 (80646737)
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| Project Period (FY) |
2016-10-21 – 2019-03-31
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| Keywords | In-situ XRD / 結晶化 / 不純物添加 / 界面 / 薄膜 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
平成28年度10月追加採用以来、アモルファスIGZO薄膜とIn2O3系統計導電膜の結晶化に関してカチオン元素の添加によって結晶化への影響をIn-situ XRDによって解明している。アモルファス構造からホモロガスIGZO構造になるには、カチオン元素とアニオン元素の拡散が必要である。現在までに、放射光を利用したin-situ XRDの測定により、アモルファス In2O3薄膜の結晶化過程、と不純物Sn, Ga、Znの添加によるアモルファス In2O3薄膜の結晶化過程を調べ、不純物の添加によって結晶化の活性化エネルギー変化を定量的に解析した。この結晶化過程に関して得られた系統的な知見は、アモルファスIGZO薄膜の結晶化において不可欠な基礎知識になる。これらの研究成果は国際学会（IUMRS-ICAM2017、京都大学）で2017年8月29日に発表した。
また、アモルファスIGZO薄膜やドープしたIn2O3系透明導電膜が結晶化する際の構造の変化を、放射光を利用したXAFSにより解析するためにサンプルの高温加熱セルを設計して製作した。アモルファスIGZO薄膜、ドープしたIn2O3薄膜の結晶化過程における局所構造の変化に関する実験を行い、結晶化機構を解析する。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
平成28年度10月追加採用以来、アモルファスIGZO薄膜の結晶化に関して基礎となる様々なドーパントを含むアモルファス In2O3薄膜の結晶化過程を解析した。放射光を利用したin-situ XRDを用いて調べた。得られたデータを基づいて、結晶化するための活性化エネルギーをさらに精度を上げて解析した。また、XAFS測定による動径分布関数の解析も行った。
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| Strategy for Future Research Activity |
平成30年度には、放射光を利用したin-situ X線回析のみならずXAFSによる動径分布関数の解析データも含めて、結晶化が開始する初期成長過程まで含めた統合的な結晶化過程の解析を行う。また、求められた活性化エネルギーに関して、種々の理論的な解析も行う。
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| Causes of Carryover |
(使用計画）1.国際学会での発表に係る費用 2.消耗品費 3.九州シンクロトロン光センターでの測定施設使用料 4.九州シンクロトロン光センターへの交通費
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