2009 Fiscal Year Annual Research Report
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17106005
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| Research Institution | Kogakuin University |
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Principal Investigator |
川西 英雄 Kogakuin University, 工学部, 教授 (70016658)
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| Keywords | 深紫外半導体レーザ / 量子井戸 / 窒化物半導体 / ワイドギャップ / エピタキシャル成長 |
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| Research Abstract |
本研究の目的を要約すると、「光励起型AlGaN多重量子井戸構造半導体レーザ」が、最短波長241.5nm(室温)でレーザ発振したかを科学的に解明すること、及び、その知見を出発点とし、電流注入型深紫外半導体レーザの実現を目指して、その基礎を固めることである。
平成20年度までの研究過程から、電流注入型AlGaN深紫外半導体レーザの実現のためには、p型AlGaN半導体の実現が不可欠であるとの結論を得ていた。
しかしながら、特に、Al組成の高いAlGaNでは、Mgをp型不純物とし、p型導電性を実現することは、Mg材料の限界であると判断し、本年度の中で、研究方針を大きく転換し、新しい元素によるp型化と言う、未知の研究課題に挑戦した。
その結果、これまでの常識を打ち破る、新しいp型電気伝導性制御の実現への突破口が、本研究の平成21年度研究成果として達成できつつあり、電流注入型AlGaN深紫外半導体レーザの実現を目指す本研究の目的に合致した革新的な研究結果が、初めて確認できつつある、新しい研究への展開が可能となってきた。
尚、詳しい内容は、論文等の公表の後、明らかにしたい。
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