2008 Fiscal Year Final Research Report
Development of new high-speed electronic devices using 1D quantum structures
| Project/Area Number |
17206031
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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| Research Institution | Waseda University |
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Principal Investigator |
HORIKOSHI , Yoshiji Waseda University, 理工学術院, 教授 (60287985)
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| Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
OHDOMARI Iwao 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (30063720)
MIURA Michiko 広島大学, 工学部, 教授 (70291482)
SHINADA Takahiro 早稲田大学, 高等研究所, 准教授 (30329099)
KAWAHARAZUKA Atsushi 早稲田大学, 高等研究所, 准教授 (40329082)
NISHINAGA Jiro 早稲田大学, 理工学術院, 助教 (90454058)
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| Project Period (FY) |
2005 – 2008
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| Keywords | 分子線エピタキシー(MBE) / マイグレーション・エンハンストエピタキシー(MEE) / III-V族化合物半導体 / 半導体ナノ構造 / 弾道電子デバイス / フラーレン |
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| Research Abstract |
半導体ナノ構造を駆使することにより、素子の高速化、低消費電力化実現のための研究を進めてきた。まず分子線エピタキシャル成長法により、結晶品質、および構造精度の高いナノ構造を製作するための選択エピタキシャル成長技術の確立、さらにナノスケールの精度を持つ反応性イオンエッチング技術の確立を行った。これによって弾道電子を用いたトランジスター、磁気抵抗効果デバイス、二次元フォトニック結晶など、種々のデバイス構造を試作し、所期の特性を確認した。
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