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2019 Fiscal Year Annual Research Report

In-situ temperature measurements and impurity profile control on SiC surface during wet chemical laser doping

Research Project

Project/Area Number 17K06387
Research InstitutionSojo University

Principal Investigator

池田 晃裕  崇城大学, 情報学部, 准教授 (60315124)

Project Period (FY) 2017-04-01 – 2020-03-31
KeywordsCO2レーザ / パルス波形制御 / オーミックコンタクト
Outline of Annual Research Achievements

本年度はこれまで使用してきたKrFエキシマレーザに代わり,短パルスCO2レーザを用いたドーピングを試みた.KrFエキシマレーザはSiCへの吸収係数が非常に高く効率の良いSiC加熱が行えるが,一方で過剰な加熱によりSiCへのダメージ導入が問題となっていた.CO2レーザはSiCへ吸収されず,SiC上のドーピング源のみを選択的に加熱できる.SiCは高温になったドーピング源により間接加熱される.ドーピング源が揮発して無くなると同時に,レーザを照射していてもSiCへの加熱が終了するため過剰な加熱が起こらない.
まず初めに,所望のドーピングができるようにCO2レーザの発振器に導入するN2:CO2:He混合ガスの混合比を変えてレーザパルス波形の制御を試みた.フォトンドラッグ効果を用いた高速応答のレーザ光検出器とオシロスコープを用いてレーザ光の波形を測定した.N2:CO2:He=3.5:70.2:26.3のときレーザのパルス幅500 nsの短パルス波形となった.N2:CO2:He=37.5:12.5:50.0のときレーザのパルス幅30 usの長パルス波形となった.また,短パルスのレーザピークパワーは,長パルスのピークパワーの130倍であった.
次に短パルスレーザを使ってSiCへのアルミドーピングを試みた.n型エピ層を持つSiC表面にAlを成膜してAl表面の10nm程度を熱酸化した.AlはCO2レーザの反射率が大きいので表面を熱酸化して吸収率を上げた.レーザの照射回数は1000回,パルスエネルギーは5mJ/pulseとした.レーザ照射後リン酸,ふっ酸を用いて残留アルミや酸化膜を除去した.除去後,照射箇所内に2本のタングステン針を当ててI-V測定したところオーミック特性を示した.高濃度にアルミがドーピングされタングステン針とオーミックコンタクトしたと考えられる.

  • Research Products

    (5 results)

All 2019

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 3 results) Presentation (2 results) (of which Int'l Joint Research: 2 results)

  • [Journal Article] Formation of low resistance contacts to p-type 4H-SiC using laser doping with an Al thin-film dopant source2019

    • Author(s)
      K. Okamoto, T. Kikuchi, A. Ikeda, H. Ikenoue, T. Asano
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume: 58 Pages: SDDF13-1-4

    • DOI

      https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab12c3

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Increasing Laser-Doping Depth of Al in 4H-SiC by Using Expanded-Pulse Excimer Laser2019

    • Author(s)
      A. Ikeda, T. Shimokawa, H. Ikenoue, T. Asano
    • Journal Title

      Materials Science Forum

      Volume: 963 Pages: 412-415

    • DOI

      https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.963.412

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] High-concentration, Room Temperature, and Low-cost Excimer Laser Doping for 4H-SiC Power Device Fabrication2019

    • Author(s)
      K. Imokawa, T. Kikuchi, D. Nakamura, A. Ikeda
    • Journal Title

      Materials Science Forum

      Volume: 963 Pages: 403-406

    • DOI

      https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.963.403

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Laser doping for 4H-SiC power-device fabrication with laser pulse-duration controller2019

    • Author(s)
      T. Kikuchi, K. Imokawa, A. Ikeda, D. Nakamura, T. Asano, H. Ikenoue
    • Organizer
      LiM 2019 - Lasers in Manufacturing
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Room Temperature Processing of Low Resistance Contacts to p-type 4H-SiC using Laser Doping2019

    • Author(s)
      K. Okamoto, A. Ikeda, T. Kikuchi, H. Ikenoue, A. Asano
    • Organizer
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019
    • Int'l Joint Research

URL: 

Published: 2021-01-27  

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