2006 Fiscal Year Annual Research Report
表面歪み場を新しいパラメータとしたナノ構造作製とその機械・電子物性の制御
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18201015
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
櫻井 利夫 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (20143539)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
藤川 安仁 東北大学, 金属材料研究所, 助教授 (70312642)
中山 幸仁 東北大学, 金属材料研究所, 助教授 (50312640)
小野 崇人 東北大学, 工学研究科, 助教授 (90282095)
サドウスキー J・T 東北大学, 金属材料研究所, 助教授 (40333885)
高村 由起子 (山田 由起子) 北陸先端科学技術大学院大学, マテリアルサイエンス研究科, 講師 (90344720)
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| Keywords | 表面・界面物性 / 半導体物性 / 走査プローブ顕微鏡 |
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| Research Abstract |
本年度においては、まず研究計画本体については、特に新奇ナノ構造の発見に関して進展が見られた。まず、Si(105)高指数表面上におけるGeの成長の観察を低速電子顕微鏡(LEEM)を用いて行い、この表面上におけるナノドットの生成を10ML程度の膜厚において確認した。この量子ドットの形状は成長温度によって非常に異なっており、比較的低温においては{113}表面によって四方を覆われた凧型のドットが生成し、高めの成長温度においては周囲に深いトレンチ構造を持つ台形のドットが生成することが分かった。高い温度におけるトレンチ構造を伴ったアイランド形成はSi基板の構造にまで影響を与えており、加熱によるGeドットの除去後もその痕跡がLEEMによって観察された。また、Si(001)表面上に成長されたGeの濡れ層から、有機物の吸着を利用してアイランド構造を誘起することが出来ることを発見した。現在これらの構造の物性をフォトルミネッセンスなどの手法を利用して検討を行っている。
また、装置整備としては局所分光分析を真空中で行う事を目的として、STM発光測定装置の本格的な運用を目指した。光検出に使用するファイバーチップを用いたSTM観察を実際に行い、STNとしてSi(111)-7x7表面構造の観察に成功し、またファイバーチップと光検出部との光路についても確保されている事を確認した。引き続き清浄表面からの光検出を試みている所である。
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Research Products
(4 results)
