2007 Fiscal Year Annual Research Report
光・電子集積回路用長寿命発光素子のためのSi上無転位GaNの成長
Project/Area Number |
18360155
|
Research Institution | Meijo University |
Principal Investigator |
成塚 重弥 Meijo University, 理工学部, 教授 (80282680)
|
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
丸山 隆浩 名城大学, 理工学部, 准教授 (30282338)
天野 浩 名城大学, 理工学部, 教授 (60202694)
|
Keywords | MBE,エピタキシャル / 結晶成長 / 電子デバイス・機器 / 格子欠陥 / 超高速情報処理 / 窒化ガリウム / シリコン / 発光素子 |
Research Abstract |
本年度の研究成果を以下の項目に分けて説明する。 GaAs低角入射マイクロチャンネルエピタキシー(LAIMCE)の検討 昨年度に引き続きGaAsを用いたLAIMCE実験をおこない、LAIMCEの際の問題点、留意点を検討した。その結果、従来では知られていない成長層側面下部に発生する逆メサ状ファセットの横方向成長に与える効果を発見した。従来は成長層側面に存在する順メサ状ファセットのみに注目しており、それと成長上面との間の面間拡散により、成長形状が大きく変化することはわかっていた。今回の実験によると、成長層側面下部に発生する逆メサ状ファセットもその生成、拡大のメカニズムを通じ横方向成長の形状に大きな影響を与えることが判明した。ビーム誘起横方向エピタキシー(BILE)の実験結果によると、成長層側面下部に存在する逆メサ状ファセットは、成長層先端の隆起に影響を及ぼすので、その制御が良好な横方向成長をおこなうための重要な鍵を握るものと考えられる。 GaAs基板表面の窒化によるc-GaN超薄膜の作製 GaAs(001)基板の表面を窒素ラジカルを用いて窒化することにより、c-GaNの超薄膜を作製することが可能である。本年度は、窒化温度、窒化時のAsの供給の有無が生成する窒化超薄膜に与える影響を調べた。特に表面格子定数の変化を反射高速電子線回折(RHEED)を用いて調べ、それが上部に成長するGaAs薄膜の成長様式にまで影響を及ぼすことを解明した。本成果は窒化超薄膜を用いた多層構造を作製するためにも欠かせない基本要件となり、その意義は大きい。 ドロップレットエピタキシーによるInNドット成長 その他、本年度はMOMBE装置の立ち上げも兼ね、ドロップレットエピタキシーによるInNドットの作製実験もおこなった。
|