2006 Fiscal Year Annual Research Report
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18560327
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Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
池田 誠 東京大学, 大規模集積システム設計教育研究センター, 助教授 (00282682)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
佐々木 昌浩 東京大学, 大規模集積システム設計教育研究センター, 助手 (50339701)
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| Keywords | レイアウト設計 / 光学近接効果 / 光学近接効果補正 / OPC / セルレイアウト / 歩留まり / 設計製造性 |
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| Research Abstract |
本年度は、光転写用光学シミュレーターを用いた設計マスクパターンと転写後のパターンの差異の確認、および光学的近接効果補正(OPC)を行った後の転写後のパタンとの差異の検討を行った。その上で、本研究において重要となる光学的に逆問題を解くことによるOPCに関してそのアルゴリズムの検討を行った。また、光学シミュレーションを実装することによって市販のツールによるOPC結果との差を検討し、十分制度良く逆問題を解けることを確認している。OPC精度の効果の検証に対しては、ディジタル集積回路設計において一般的に用いられるセルライブラリの幾つかに対して行っている。また、OPC結果の評価に関しては、OPC結果から、実際に集積回路の製造において製造不良の確率を高める可能性の高い領域を、配線間の最小距離が一定以下の場合のクリティカルエリア、配線幅が一定以下の場合の最小線幅違反、およびコンタクト周辺のカバー違反に分けて定義し、マスクパタン転写後のパタンからそれぞれの違反率・違反密度を抽出し、それらの多少によってセルレイアウトのOPCを考慮した設計製造性に関する評価を行っている。これらの評価尺度を適当な係数をかけた上でセルレイアウトに対して適用したところ、OPC処理を行わないマスクパタンを用いた転写パタンと比較し、通常のOPC処理後のレイアウトパタンでは、3%程度の指標の改善が見られたのに対し、アグレッシブなOPCを実行した場合には55%程度の指標の改善が可能であることがわかった。この結果から、OPCの処理によりクリティカルな部分の転写パタンの改善が可能であることが示された。
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