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2020 Fiscal Year Annual Research Report

Appearance of conductance quantization in binary transition metal based resistive switching

Research Project

Project/Area Number 18K04234
Research InstitutionMaizuru National College of Technology

Principal Investigator

西 佑介  舞鶴工業高等専門学校, その他部局等, 准教授 (10512759)

Project Period (FY) 2018-04-01 – 2021-03-31
Keywords抵抗変化 / 金属酸化物 / 量子化コンダクタンス / 熱処理 / 酸素空孔
Outline of Annual Research Achievements

二元系金属酸化物と金属との積層構造が示す可逆性・不揮発性を有する抵抗変化素子として、本研究では主に酸化ニッケルと白金を用いた。酸化ニッケルの堆積条件を厳密に制御することによって、作製した素子に電圧を印加した際に量子化コンダクタンスが発現することが確認された。その後に電圧の極性を問わないノンポーラ型の抵抗変化として抵抗レンジの異なる二種類存在することも確認され、酸化ニッケルの結晶構造や微視的組成分布との相関も知ることができた。
一方で、作製装置の使用者が研究室をまたがるものであったことが仇となり、実験器具の一新を余儀なくされた結果、量子化コンダクタンスが発現する条件確立が極めて困難な状況に陥った。研究の根幹となる狙いの材料作製が容易でなくなったために非本質的な時間と大幅な労力を浪費する結果となった。真っ当な研究機関とはとても言い難い劣悪環境における人災でしかないが、時間の制約もあり当初の研究計画を大幅に変更する事態に陥った。
種々の工夫を試みた中で、作製した素子に還元雰囲気中での熱処理を施すことが、量子化コンダクタンスの発現に効果的であることが確認できた。基板となる下部電極の状態にもよるが、アルゴンまたは酸素雰囲気中での高温での熱処理では、電極剥がれや素子の意図しない変質が見られた。そのため、より低温で十分な還元効果が見込まれる水素雰囲気中での熱処理を試したところ、従来に比べて量子化コンダクタンスの発現確率の向上が確認された。反応性とはいえ物理的作用の強いスパッタだけでなく、その後に還元雰囲気での低温熱処理を施し化学的作用を導入することによって、酸化ニッケル中の粒界に偏析している酸素空孔のばらつきが抑制され、素子コンダクタンスの分布が小さくなった結果であるものと考えられる。

  • Research Products

    (10 results)

All 2021 2020

All Journal Article (1 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (9 results) (of which Int'l Joint Research: 4 results)

  • [Journal Article] Grain-boundary structures and their impact on the electrical properties of NiO films deposited by reactive sputtering2020

    • Author(s)
      Iwata Tatsuya、Nishi Yusuke、Kimoto Tsunenobu
    • Journal Title

      Thin Solid Films

      Volume: 709 Pages: 138203~138203

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2020.138203

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Depth profile of chemical compositions in Ta2O5-based resistive switching cells2021

    • Author(s)
      Toshiki Miyatani, Yusuke Nishi, Tsunenobu Kimoto
    • Organizer
      Int. Symp. on Creation of Adv. Photonic and Electronic Devices 2021
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Ni/Ta2O5/TiN素子におけるデジタルおよびアナログ抵抗変化2021

    • Author(s)
      宮谷俊輝, 山田和尚, 木本恒暢, 西佑介
    • Organizer
      応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] Dissolution of conductive filaments by heat in NiO-based resistive switching cells2020

    • Author(s)
      Yusuke Nishi, Tsunenobu Kimoto
    • Organizer
      Materials Research Society, Spring/Fall Meeting
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Improvement of analog resistive switching characteristics in TaOx-based synaptic devices through complementary resistive switching2020

    • Author(s)
      Toshiki Miyatani, Yusuke Nishi, Tsunenobu Kimoto
    • Organizer
      Materials Research Society, Spring/Fall Meeting
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Correlation between depth distribution of chemical compositions and resistive switching characteristics in Metal/Ta2O5/Pt cells2020

    • Author(s)
      Toshiki Miyatani, Yusuke Nishi, Tsunenobu Kimoto
    • Organizer
      Materials Research Society, Spring/Fall Meeting
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Ta酸化物中の化学組成分布と抵抗変化のアナログ制御性の相関2020

    • Author(s)
      宮谷俊輝, 西佑介, 木本恒暢
    • Organizer
      応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] Ti/Pr0.7Ca0.3MnOx/Pt素子における酸素熱処理が抵抗変化特性に与える効果2020

    • Author(s)
      井室充登, 金上尚毅, 西佑介, 木本恒暢
    • Organizer
      応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] Mode Control of Resistive Switching Operations in Pt/TaOx/Ta2O5/Pt Cells2020

    • Author(s)
      宮谷俊輝, 西佑介, 木本恒暢
    • Organizer
      薄膜材料デバイス研究会第17回研究集会
  • [Presentation] TiN電極を用いたTa2O5-ReRAM素子におけるデジタルおよびアナログ抵抗変化の共存2020

    • Author(s)
      山田和尚, 木本恒暢, 西佑介
    • Organizer
      シリコン材料・デバイス研究会

URL: 

Published: 2021-12-27  

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