2008 Fiscal Year Final Research Report
Development of high temperature a scanning Hall probe microscope incorporating a Hall probe fabricated using gallium nitride heterostructures
| Project/Area Number |
19360139
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
SANDHU Adarsh Tokyo Institute of Technology, 量子ナノエレクトロニクス研究センター, 准教授 (80276774)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Keywords | 磁性 / 走査プローブ顕微鏡 / 磁区 / スピンエレクトロニクス / 磁気記録 |
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| Research Abstract |
高温における強磁性体の磁区構造の観察を目的とし、高温走査型ホールプローブ顕微鏡(High Temperature Scanning Hall Probe Microscopy, HT-SHPM)用プローブを作製した。高温観測のためのプローブにAl 組成比、Siドープの有無など構造の異なるAlGaN/GaNの温度特性を調べ、感磁部の大きさが2μm×2μmであるホールプローブを作製した。作製したプローブの電気特性を評価し、ホール係数は25℃で0.0077Ω/G、400℃においては0.0046Ω/Gという結果を得た。また、HT-SHPMを用いて100℃以上における強磁性体ガーネット薄膜の磁区観察、外部磁界印加時の磁区観察に成功した。
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