2008 Fiscal Year Final Research Report
Study of tunnel-injected carrier conduction mechanism of Germanium nano-device in the ultrahigh frequency region
Project/Area Number |
19360153
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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Research Institution | Tohoku University |
Principal Investigator |
TANAKA Tetsu Tohoku University, 大学院・医工学研究科, 教授 (40417382)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
FUKUSHIMA Takafumi 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 (10374969)
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Project Period (FY) |
2007 – 2008
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Keywords | 半導体物性 / 電子デバイス / デバイス設計 / 半導体超微細化 / 超薄膜 |
Research Abstract |
従来のCMOS技術の延長では実現不可能であるナノメートル領域で動作する新しいトンネル注入制御ゲルマニウムナノデバイスを提案し、キーテクノロジである高純度ゲルマニウム層の作製技術を確立した。また、高透磁率金属ナノドットを有する高周波動作用インダクタの作製に成功した。キャリア伝導メカニズムの実験的解析法として、超高周波領域で測定した散乱パラメータ(Sパラメータ)を用いたキャリアの反射/透過現象のモデル化手法を確立した。
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[Journal Article] Investigation of the effect of in situ annealing of FePt nanodots under high vacuum on the chemical states of Fe and Pt by x-ray photoelectron spectroscopy2008
Author(s)
M. Murugesan, J.C. Bea, C.-K. Yin, H. Nohira, E. Ikenaga, T. Hattori, M. Nishijima, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Miyao, and M. Koyanagi
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Journal Title
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 104
Pages: 074316-1-074316-5
Peer Reviewed
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