2008 Fiscal Year Final Research Report
Development of HW-CVD technique with a radical source and application to preparation of doped nanocrystalline thin films
Project/Area Number |
19560314
|
Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
|
Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Research Field |
Electronic materials/Electric materials
|
Research Institution | Nagoya University |
Principal Investigator |
TABATA Akimori Nagoya University, 大学院・工学研究科, 准教授 (20227250)
|
Project Period (FY) |
2007 – 2008
|
Keywords | ホットワイヤー化学気相成長法 / ラジカル源 / ナノ結晶 / 炭化シリコン / ドーピング / N_2分解 |
Research Abstract |
シラン・メタンを原料としたホットワイヤー化学気相成長(HW-CVD)法によるn型およびp型ナノ結晶SiC薄膜の作製に関する研究を行った。(1)予備実験として、N2のHW上での分解を調べ、N_2がHW-CVD法においても有用なN源であることを明らかにした。(2)N_2およびH_2ガス流量を制御して膜の結晶性およびN混入量の制御を図ることにより、高い電気伝導度を有するNドープn型膜の作製に成功した。(3)ラジカル源を併用することにより、固体源をドーパントとしても不純物添加ができ、p型膜の作製の可能性を示した
|