2008 Fiscal Year Final Research Report
A studay for SRAM Terminal Biasing Scheme for Ultra-Low Operating Voltage Applications for NanoMeter Era
| Project/Area Number |
19560363
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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| Research Institution | Fukuoka Institute of Technology |
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Principal Investigator |
YAMAUCHI Hiroyuki Fukuoka Institute of Technology, 情報工学部, 教授 (70425239)
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| Project Period (FY) |
2007 – 2008
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| Keywords | SRAM / SRAMスケーリング / スタティックノイズマージン / ライトマージン / マージンアシスト回路 / EOTのスケーリング / σVtのスケーリング / セルトポロジー |
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| Research Abstract |
SRAMのサイズスケーリングのベースに影響を与える可能性のあるSRAMセルトポロジーとマージンアイッスト方式の技術について調査し、スケーリングのペースに与える影響を定量的に求め、45nm以降15nm迄のプロセススケーリングを考慮した各種アシスト回路のマージンアシスト回路方式の予測を行い、最もサイズスケーリングのペースを速くできるSRAMセルトポロジーとマージンアシスト回路を明らかにした。
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Research Products
(19 results)
