2008 Fiscal Year Final Research Report

Normally-off and Low On-Resistance Nitride-based Semiconductor Transistor

Research Project

Project/Area Number	19760244
Research Category	Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Allocation Type	Single-year Grants
Research Field	Electron device/Electronic equipment
Research Institution	National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Principal Investigator	IDE Toshihide National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ, 研究員 (90397092)
Project Period (FY)	2007 – 2008
Keywords	GaN / AlGaN / トランジスタ / ノーマリーオフ / 短ゲート長化 / オン抵抗
Research Abstract	GaN トランジスタのノーマリーオフ化,低オン抵抗化を微細加工技術の導入により実現した.ノーマリーオフ化はゲートリセス構造を用いることでしきい値電圧+0.5V を実現した.低オン抵抗化についてはゲート長等の素子寸法を短縮することで0.1mΩ・cm2 を実現した.またこれらを両立するゲート構造を提案し電磁界解析,実験ともに実証した.