厚膜磁石を活用したMEMSデバイスの総合的研究

2019 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 19H00738
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 18:Mechanics of materials, production engineering, design engineering, and related fields
• Research Institution: Tokyo Institute of Technology
• Principal Investigator: 進士 忠彦 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授 (60272720)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 中野 正基 長崎大学, 工学研究科, 教授 (20274623) ; 韓 冬 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 特任助教 (50825263)
• Project Period (FY): 2019-04-01 – 2024-03-31

Outline of Opinions Expressed in the Review Results

本研究は、スマートフォンカメラ用マイクロアクチュエータ、IoTや体内植え込みデバイス用エナジーハーベスターをターゲットに、厚膜磁石を活用したMEMSデバイスの設計、磁石成膜・加工・着磁、製造技術を総合的に検討するものである。
小型アクチュエータなどに必要な高性能膜状ネオジム磁石の製造技術を開発しようとする研究であり、工業的に意義が高いと評価できる。パルスレーザ堆積法による製造技術とレーザーアシスト加熱及び磁気転写による微細着磁法による成形法のアイデアが独創的である。