2021 Fiscal Year Annual Research Report
可逆的配位数スイッチングを用いた単一マルチフェロイック材料のメモリ応用
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19H02426
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
安井 伸太郎 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 助教 (40616687)
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| Project Period (FY) |
2019-04-01 – 2022-03-31
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| Keywords | マルチフェロイック / k-Al2O3構造 / 強誘電性 / 磁性 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
高圧FZを用いて作製したScドープされたFe量1.25(Ga0.75)組成の単結晶について、Scのドープ量(Ga量に対して0-0.15molをドーピング)とそれぞれの酸素八面体3種(Octahedral-Feサイト1、Octahedral-Feサイト2、Octahedral-Gaサイト)および酸素四面体1種(Tetrahedral-Gaサイトにおけるサイト占有率を決定した。XRDおよび中性子測定をを行うことですべての元素について定量的に議論した。
昨年度の結果よりFe1.3におけるSc量の変化に対する磁化は大きな変化が見られなかったが、保持力は大きく増加した。これはScイオンがTetraherton-Gaサイトにダイレクトに占有したのではなく、Octahedral-Feサイトに系統的に置換することが原因であると考えていた。それらについて中性子回折により検証した結果、Scをドーピングした場合、Tetraherton-Gaサイトには全く入ることなくすべてOctahedral-Feサイト1とOctahedral-Gaサイトに単調増加の関係を保ちながら変化することが分かった。さらにFeの占有サイトはScのドーピングで全体的に変化し、その後それぞれのサイトがSc量に対して単調に変化することが分かった。
XMCDの結果より、これらのScをドーピングするとFeのスペクトルが大きく変化し、この結果は中性子をもって説明することが可能であると考えている。
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| Research Progress Status |
令和3年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
令和3年度が最終年度であるため、記入しない。
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