2021 Fiscal Year Annual Research Report
Deep ultraviolet light emitting diode using h-BN ultrathin film
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19K15443
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Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
Principal Investigator |
一ノ倉 聖 東京工業大学, 理学院, 助教 (00792566)
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Project Period (FY) |
2019-04-01 – 2022-03-31
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Keywords | 六方晶窒化ホウ素 / ワイドギャップ半導体 |
Outline of Annual Research Achievements |
本研究では窒素とホウ素の層状物質である立方晶窒化ホウ素(h-BN)に着目する。h-BNは 5.8 eVという非常に大きなバンドギャップを持つ半導体である。このエネルギーは215 nmの深紫外光に対応するため殺菌光源等への応用が考えられるが、発光デバイスの作製に必要なエネルギーバンド操作の方法が確立していない。 そこで、本研究では単原子層h-BNを題材として、有機分子吸着やアルカリ金属インターカレーションによりエネルギーバンド操作を行っている。 昨年度はロジウム薄膜上の単原子層h-BNにセシウムを蒸着することで、2.7eVエネルギーバンドをシフトさせることに成功した。これはセシウムとロジウムの仕事関数差に相当するため、リチウムと同様、セシウムとロジウム基板の間に生じる電気双極子の作るポテンシャルがh-BNのバンドをシフトさせていると考えられる。本年度はアルカリ土塁金属であるカルシウムを用いた。カルシウムは容易に2価の陽イオンとなるため、電気双極子を作るだけでなく、h-BNにキャリアを注入する可能性があると考えた。しかし、実際に蒸着を行うとインターカレーションは起こらないことがわかった。従って、2価金属は容易にはインターカレートしないと考えられる。
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[Presentation] Caがインターカレートしたグラフェンにおける2重ディラックバンドと層間電子状態2022
Author(s)
一ノ倉聖, 德田啓, 福嶋隆司朗, 堀井健太郎, 遠山晴子, 秋山了太, 出田真一郎, 田中清尚, 清水亮太, 一杉太郎, 長谷川修司, 平原徹
Organizer
日本物理学会第77回年次大会
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[Presentation] Van Hove Singularity in Thickness Controlled Li-Intercalated Graphene2021
Author(s)
S. Ichinokura, M. Toyoda, M. Hashizume, K. Horii, S. Kusaka, S. Ideta, K. Tanaka, R. Shimizu, T. Hitosugi, S. Saito, T. Hirahara
Organizer
The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS-9)
Int'l Joint Research
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[Presentation] Liインターカレートしたグラフェンにおける van Hove特異性の層数依存性2021
Author(s)
一ノ倉 聖, 豊田 雅之, 橋爪 瑞葵, 堀井 健太郎, 日下 翔太郎, 出田 真一郎, 田中 清尚, 清水 亮太, 一杉 太郎, 斎藤 晋, 平原 徹
Organizer
2021年日本表面真空学会学術講演会
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[Presentation] SiC基板上のCaインターカレートグラフェンにおける超伝導2021
Author(s)
遠山晴子, 秋山了太, 橋爪瑞葵, 一ノ倉聖, 飯盛拓嗣, 松井朋裕, 堀井健太郎, 佐藤瞬亮, 保原麗, 遠藤由大,福山寛, 平原徹, 小森文夫, 長谷川修司
Organizer
日本物理学会 2021年秋季大会
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[Presentation] Caインターカレート誘起フリースタンディンググラフェンにおける構造と超伝導の相関2021
Author(s)
遠山晴子, 秋山了太, 佐藤瞬亮, 遠藤由大, 保原麗, 堀井健太郎, 橋爪瑞葵, 一ノ倉聖, 平原徹, 飯盛拓嗣, 小森文夫, 松井朋裕, 福山寛, 長谷川修司
Organizer
日本表面真空学会 2021年度関東支部講演大会