2010 Fiscal Year Annual Research Report
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20224005
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| Research Institution | High Energy Accelerator Research Organization |
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Principal Investigator |
高山 健 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 加速器研究施設, 教授 (20163321)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
安達 利一 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 加速器研究施設, 准教授 (80141977)
荒木田 是夫 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 加速器研究施設, 研究機関講師 (00113415)
和気 正芳 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 加速器科学支援センター, シニアフェロー (90100916)
川合 將義 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 名誉教授 (10311127)
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| Keywords | 誘導加速 / デジタル加速器 / チョッパー / ECRイオン源 / 誘導加速シンクロトロン |
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| Research Abstract |
課題1デジタル加速器のイオンビーム加速
地震災害の後、漸く復旧した6月より、イオンビームのデジタル加速器への入射、閉じ込め、加速が開始された。入射器を使用しない誘導加速シンクロトロンとして世界に唯一の加速器で、100マイクロアンペアーのHe1+イオンをバリアー電圧で閉じ込め、別の誘導パルス電圧で誘導加速することに成功した。デジタル加速器に入射するビーム敵切な長さに切り出す必要があるが、この目的のため新たにEinzel lens chopperを製作していたが、このchopperがエンジニアリングレベルで稼働することを実証した。
課題2誘導加速セルを駆動するスイチング電源用のSiC-JFETスイッチング素子の自主開発
次世代のデジタル加速器誘導加速システムを駆動するスイッチング電源用パワー半導体素子として耐圧1.2kV、出力20Aの素子の開発に成功した。これで、大幅に能力をアップしたフルブリッジ回路電源への見通しが立った。
●国内の加速器関連研究会ならびに2011 International Accelerator Conferenceにおいてデジタル加速器におけるビームコミッショニングの現状について報告した。特に世界で初めてのデジタル加速器でのビームコミッショニング結果については大きな関心を持って迎えられた。
●2011,8/12-13KEKにおいて開催されたデジタル加速器の応用に関するワークショップにおいて、デジタル加速器が供給する各種イオンビームの利用向けた加速器のアップグレードとレーザーイオン源の開発の現状が紹介された。又、そのユーザーフォーラムから関係者が参加し、利用計画の研究内容の紹介があった。
●パワー半導体の関連の国際会議にて開発に成功したスイッチング素子(SiC-JFET)のパッケージについて報告した。企業以外からの最終ユーザによる実用パッケージの報告は初めてであった。
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