2008 Fiscal Year Annual Research Report
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20350085
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| Research Institution | Chiba University |
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Principal Investigator |
小林 範久 Chiba University, 大学院・融合科学研究科, 教授 (50195799)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
鎌田 俊英 産業技術総合研究所, 光技術研究部門, グループ長 (80356815)
植村 聖 産業技術総合研究所, 光技術研究部門, 研究員 (50392593)
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| Keywords | ナノ材料 / 生体材料 / ポリペプチド / らせん高分子 / FETメモリ |
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| Research Abstract |
らせん高分子であるポリペプチドが主鎖配向させなくても強誘電性を示すための要囚を分子構造的ならびに薄膜の組織構造的な観点から解析し,産総研グループから得られるFETメモリ特性との相関を定量的に明らかにした。具体的には,α-ヘリックス構造を持つポリ(メチルグルタメート)(PMG)が有機FETメモリの強誘電体層として機能しているため,PMG膜の膜構造,電気特性,誘電特性を評価手段としてFET特性との相関を定量的に解析した。その結果,PMGが膜中で取るコレステリック液晶に似た集合状態が強誘電性発現に大きな影響を及ぼしていることが明らかとなった。このことは,PMG薄膜にFETゲート電圧に相当する電界を印加することで誘起される電荷の測定を行う,いわゆる熱脱分極電流測定結果や電荷誘起に伴う誘電率の変化からも示唆されている。特にこれらの電荷や誘電率の変化は半導体を乗せたFETの状態にすることで顕著となった。
一方,産総研においてはPMGの配向性を制御する目的でPMG層の下にPMGを意図的に配向させる配向膜を導入する検討を行った。配向膜の分子配向方向に平行および垂直にPMGをブレードコートし,膜中でのPMG配向状態を偏光顕微鏡,偏光赤外分析などで解析した。それぞれのPMG集合状態においてFETメモリー特性を評価したところ,分子集合状態がFETメモリー性発現の要因であることが明らかとなり,千葉大側との結果の整合性が得られた。
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