2008 Fiscal Year Annual Research Report
シリサイド半導体を用いた資源・環境リスク対応フォトダイオードの開発
| Project/Area Number |
20360134
|
|---|
| Research Institution | Ibaraki University |
|---|
Principal Investigator |
鵜殿 治彦 Ibaraki University, 工学部, 准教授 (10282279)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
木村 孝之 茨城大学, 工学部, 准教授 (50302328)
山田 洋一 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 助教 (20435598)
山本 博之 (独)日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究主幹 (30354822)
山口 憲司 (独)日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究主幹 (50210357)
江坂 文孝 (独)日本原子力研究開発機構, 原子力基礎工学研究部門, 研究副主幹 (40354865)
|
|---|
| Keywords | 半導体シリサイド / 赤外受光素子 |
|---|
| Research Abstract |
本研究は、水銀、鉛、ヒ素、アンチモンなどの有害性の高い重金属やインジウムなどの稀少金属を構成元素に含まないシリサイド系半導体を用いて、資源・環境リスク対応型の赤外受光素子を開発することを最終目的としている。光通信や夜間モニタリングなどの分野で利用が拡大してきている赤外検出器は、GaAs, InGaAs, InSb, PbS, PbSe, HgCdTe(MCT)など稀少金属や有害金属が構成元素に使われており、その代替え材料の研究は積極的に行われてこなかった経緯がある。
本研究では、クラーク数が大きく、資源量が豊富な元素で構成されるβ-FeSi_2とMg_2Si系材料を用いて、従来の赤外検出器に代わり安全で一般普及が容易な赤外受光素子を開発すべく、本年度は主要装置の整備とそれを用いた基礎的な実験を行い以下の主要成果を得た。
○残留のキャリア濃度を10^<16>cm^<-3>代前半のβ-FeSi_2結晶を育成することに成功した。
○Mg_2Si, Mg_2Snの高純度化を行いキャリア濃度を10^<16>cm^<-3>代の結晶を得ることを可能にした。
○β-FeSi_2基板表面の熱処理クリーニング法を開発すると共にその表面構造がバルクと変わらず成膜に適していることを初めて明らかにした。
○スパッタリングによってβ-FeSi_2基板表面酸化膜を取り除く条件を確立した。
|
Research Products
(7 results)
