2010 Fiscal Year Annual Research Report
ナノ粒子デバイスの特性向上を目指したナノ粒子の基板上堆積手法の開発
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20560715
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
高見 誠一 東北大学, 多元物質科学研究所, 准教授 (40311550)
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| Keywords | 金属酸化物ナノ粒子 / ナノ粒子デバイス / 有機分子表面修飾 / ボトムゲート基板 / トランジスタ特性 |
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| Research Abstract |
研究申請者は、有機分子で表面修飾した酸化物ナノ粒子の合成手法の開発、さらに修飾分子の性質を利用したナノ粒子の分散・複合化の制御に成功しており、この成果をもとに酸化物ナノ粒子を活用した電子デバイスの実現に取り組む。これまで、ZnOナノ粒子の分散液を基板に滴下・乾燥することで形成したナノ粒子堆積膜が、電界効果トランジスタのチャネル層として動作することを明らかにしており、トランジスタ特性の向上に必須な電荷移動度の向上を目指し、異方性を有する表面修飾酸化物ナノ粒子を基板上で稠密に配向させる手法を開発し、酸化物ナノ粒子を用いた電子デバイスの実用化を目指した。
1表面修飾、印加磁場による配向化、堆積条件の最適化による稠密・均一形成
平成21年度に引き続き、ナノ粒子の配向配列、および稠密均一堆積膜形成の条件を探索した。既に確立したナノ粒子堆積膜形成手法を用いて、配向制御、稠密かつ均一な堆積膜形成を同時に達成するための条件を検討した。
2基板上でのナノ粒子配向堆積膜
ボトムゲート基板上に酸化物ナノ粒子の配向稠密均一膜を形成し、電気特性の評価方法に応じて、酸化シリコン層の厚さ、金電極パターンを変えたボトムゲート基板を準備した。
3デバイス特性の評価
ボトムゲート基板上でのナノ粒子堆積膜の形成に続き、デバイスとしての特性評価を行った。研究申請者は既に酸化物ナノ粒子堆積膜をチャネル層として用いたトランジスタ特性の評価を行っており、同様の手法、装置を用いることにより、デバイス特性評価を行った。
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