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2013 Fiscal Year Annual Research Report

炭化珪素半導体の欠陥制御と超高耐圧ロバスト素子への応用

Research Project

Project/Area Number 21226008
Research InstitutionKyoto University

Principal Investigator

木本 恒暢  京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (80225078)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 須田 淳  京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (00293887)
西 佑介  京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (10512759)
Project Period (FY) 2009-05-11 – 2014-03-31
Keywords炭化珪素 / パワーデバイス / キャリア寿命 / 絶縁破壊 / 深い準位
Research Abstract

1) 耐圧構造の改善
シミュレーションと実験の両方のアプローチにより、20kV超級のSiC PiNダイオードやバイポーラトランジスタの耐圧制限要因を明らかにした。この結果および昨年度までに実施したSiCデバイスの端部における電界集中抑制構造(改良型空間変調JTE)、表面保護法をさらに改善し、20kV以上の超高耐圧を安定して達成する構造を提唱した。この結果、26.9kV以上という固体素子として最高の耐圧を有するSiC PiNダイオード、23kVの耐圧を有するSiCバイポーラトランジスタを実現した。また、耐圧やリーク電流に及ぼす転位欠陥の影響は小さく、エピタキシャル成長時に生成する積層欠陥の影響が大きいことを示した。200℃以上の高温特性も評価し、アバランシェ破壊が支配的であることを明らかにした。
2) オン特性の向上
昨年度までの欠陥制御の成果を活用して、厚さ100-200ミクロンの高純度SiC厚膜(耐圧維持層)におけるキャリア寿命制限欠陥を消滅させることに成功し、室温で50マイクロ秒以上の長いキャリア寿命を達成した(従来は約1マイクロ秒)。この手法を活用し、さらに電極の接触抵抗を低減することによって、20kV級SiC PiNダイオードのオン特性を著しく向上することに成功した。具体的には、微分オン抵抗を従来の約40mΩcm2から10mΩcm2以下に低減した(20kV級デバイス)。オン特性の温度依存性も評価し、ほぼ理想的な特性を示すことが分かった。
3) 欠陥制御
従来の研究をさらに発展させ、SiCにおける少数キャリアトラップの検出と低減、長年の課題であったp型SiCにおけるキャリア寿命の向上、基底面転位の挙動解明などの成果を挙げた。

Current Status of Research Progress
Reason

25年度が最終年度であるため、記入しない。

Strategy for Future Research Activity

25年度が最終年度であるため、記入しない。

  • Research Products

    (13 results)

All 2014 2013

All Journal Article (6 results) (of which Peer Reviewed: 6 results) Presentation (6 results) (of which Invited: 5 results) Patent(Industrial Property Rights) (1 results)

  • [Journal Article] 高耐圧SiCパワーデバイスの進展と課題2014

    • Author(s)
      木本恒暢
    • Journal Title

      固体物理

      Volume: 49 Pages: 35-43

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Ultrahigh-voltage SiC PiN diodes with an improved junction termination extension structure and enhanced carrier lifetime2013

    • Author(s)
      N. Kaji, H. Niwa, J. Suda, and T. Kimoto
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys

      Volume: 52 Pages: 070204/1-4

    • DOI

      10.7567/JJAP.52.070204

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Investigation on origin of Z1/2 center in SiC by deep level transient spectroscopy and electron paramagnetic resonance2013

    • Author(s)
      K. Kawahara, X. T. Trinh, N. T. Son, E. Janzen, J. Suda, and T. Kimoto,
    • Journal Title

      Appl. Phys. Lett.

      Volume: 102 Pages: 112106/1-4

    • DOI

      10.1063/1.4796141

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Deep levels generated by thermal oxidation in n-type 4H-SiC2013

    • Author(s)
      K. Kawahara, J. Suda, and T. Kimoto,
    • Journal Title

      Appl. Phys. Exp.

      Volume: 6 Pages: 051301/1-4

    • DOI

      10.7567/APEX.6.051301

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Deep levels generated by thermal oxidation in p-type 4H-SiC2013

    • Author(s)
      K. Kawahara, J. Suda, and T. Kimoto,
    • Journal Title

      J. Appl. Phys.

      Volume: 113 Pages: 033705/1-9

    • DOI

      10.1063/1.4776240

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Improvement of carrier lifetimes in highly Al-doped p-type 4H-SiC epitaxial layers by hydrogen passivation2013

    • Author(s)
      T. Okuda, T. Kimoto, and J. Suda,
    • Journal Title

      Appl. Phys. Exp.

      Volume: 6 Pages: 121301/1-3

    • DOI

      10.7567/APEX.6.121301

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Progress and future challenges of high-voltage SiC power devices2013

    • Author(s)
      T. Kimoto, H. Miyake, H. Niwa, T. Okuda, N. Kaji, and J. Suda
    • Organizer
      2013 Materials Research Society Fall Meeting
    • Place of Presentation
      Boston, USA
    • Year and Date
      20131201-20131206
    • Invited
  • [Presentation] Ultrahigh-voltage (> 20 kV) SiC PiN diodes with a space-modulated JTE and lifetime enhancement process via thermal oxidation2013

    • Author(s)
      N. Kaji, H. Niwa, J. Suda, and T. Kimoto
    • Organizer
      Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2013
    • Place of Presentation
      Miyazaki
    • Year and Date
      20130929-20131004
  • [Presentation] Temperature dependence of impact ionization coefficients in 4H-SiC2013

    • Author(s)
      H. Niwa, J. Suda, and T. Kimoto
    • Organizer
      Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials 2013
    • Place of Presentation
      Miyazaki
    • Year and Date
      20130929-20131004
    • Invited
  • [Presentation] Ultrahigh-voltage SiC devices for future power infrastructure2013

    • Author(s)
      T. Kimoto
    • Organizer
      43th Europ. Solid-State Device Research Conf.,
    • Place of Presentation
      Bucharest, Romania
    • Year and Date
      20130916-20130920
    • Invited
  • [Presentation] Junction technology in SiC for high-voltage power devices2013

    • Author(s)
      T. Kimoto, K. Kawahara, H. Niwa, T. Okuda, and J. Suda
    • Organizer
      IEEE 13th Int. Workshop on Junction Technology
    • Place of Presentation
      Kyoto
    • Year and Date
      20130606-20130607
    • Invited
  • [Presentation] Fundamentals and frontiers of SiC power device technology2013

    • Author(s)
      T. Kimoto
    • Organizer
      Short Course of 25th Int. Symp. of Power Semiconductor Devices & ICs
    • Place of Presentation
      Kanazawa
    • Year and Date
      20130526-20130530
    • Invited
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体装置、半導体装置の製造方法および熱処理装置2013

    • Inventor(s)
      須田淳、奥田貴史、木本恒暢
    • Industrial Property Rights Holder
      京都大学
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      特願2013-143504
    • Filing Date
      2013-07-09

URL: 

Published: 2015-05-28  

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