2011 Fiscal Year Final Research Report
Creation of single-crystal graphene substrate through surface structure control on a wafer scale
| Project/Area Number |
21246006
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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| Research Institution | NTT Basic Research Laboratories |
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Principal Investigator |
HIBINO Hiroki 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主幹研究員 (60393740)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
NAGASE Masao 徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 教授 (20393762)
KAGESHIMA Hiroyuki 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員 (70374072)
KANISAWA Kiyoshi 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員 (70393767)
YAMAGUCHI Toru 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員 (30393763)
TANAKA Satoru 九州大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (80281640)
MIZUNO Seigi 九州大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授 (60229705)
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| Project Period (FY) |
2009 – 2011
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| Keywords | ナノ構造物性 |
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| Research Abstract |
When SiC is thermally decomposed by annealing, graphene epitaxially grows on the substrate. Based on this phenomenon, we produced highly-uniform monolayer, bilayer, and trilayer graphene by controlling the annealing environment and temperature. We fabricated top-gated Hall bar devices using the monolayer and bilayer graphene, and measured their characteristics. We clarified that monolayer and bilayer graphene exhibit distinctly different electronic transport properties, reflecting their electronic structures.
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[Remarks] (2)日経産業新聞、「薄くて透明炭素材料に新顔壁に張るパソコンなど期待」、2010年7月18日
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[Remarks] (3)日本経済産業新聞、「富士通やNTT、新型炭素材技術、丸められる端末・携帯スパコンに道」、2010年7月17日
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[Remarks] (4)日刊工業新聞、[グラフェントランジスタ次世代素子実用化競う」、2009年12月7日
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[Remarks] (5)日本経済新聞、「高機能の新炭素材料「グラフェン」」、2009年9月7日
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