X線透視画像を用いた電子パッケージ内部ひずみの非破壊計測技術の開発

2010 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 21560109
• Research Institution: Fukuoka Industrial Technology Center
• Principal Investigator: 小金丸 正明 福岡県工業技術センター, 機械電子研究所, 専門研究員 (20416506)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 糸平 圭一 福岡県工業技術センター, 機械電子研究所, 主任技師 (90463497)
• Keywords: デバイス設計・製造プロセス / 電子デバイス・機器 / エレクトロニクス実装 / 実験力学 / 機械材料・材料力学

Research Abstract

1. サンプリングモアレ法を用いた応力・ひずみ評価手法の確立
開発したサンプリングモアレ法アルゴリズムを用い、2. で作製したテストチップの樹脂封止前後の透視画撮像を行った。この結果、樹脂封止前後の透視画像でサンプリングモアレ法による(擬)干渉縞が得られることが確認できた。
2. X線撮像用テストチップの開発
昨年度作製したテストチップ(3㎜×3㎜、ドット大きさ : 20um、50um、100um)において、擬モアレ干渉縞を得るための最適なパターンを同定した。すなわち、ドットの大きさ : 20um×20um、ドット間隔 : 20umが最も鮮明に干渉縞が得られることが分かった。
3. X線撮像手法・条件の確立
最適なX線透視画像を得るための画像処理について、被測定物を置かない撮像(空画像)と被測定物の透視画像を差分処理することにより、明瞭なテストチップのドット画像が得られ、サンプリングモアレ法に適したX線透視画像が得られることが分かった。
4. 従来手法との比較による計測技術の精度検証
ピエゾ抵抗ゲージを用いた応力計測用テストチップを2. のテストチップと同じプロセスで樹脂封止し、本計測技術の精度検証用テストパッケージを作製した。また、この比較用テストパッケージを用いて樹脂封止時の残留応力を算出するため、ピエゾ抵抗クージの抵抗値測定を行った。次年度、この応力値の算出結果を本手法による計測値と比較し、本手法の精度を定量的に明らかにする。

Strategy for Future Research Activity

(抄録なし)