2009 Fiscal Year Annual Research Report
歪制御による同一半導体を用いたヘテロ素子構造の研究
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21560371
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| Research Institution | Kanagawa University |
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Principal Investigator |
水野 智久 Kanagawa University, 理学部, 教授 (60386810)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
鮫島 俊之 東京農工大学, 共生科学技術研究院, 教授 (30271597)
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| Keywords | 電子デバイス / 半導体物性 / マイクロ・ナノデバイス |
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| Research Abstract |
1.O^+イオン注入法を用いた歪半導体基板の全面/部分領域の歪緩和実験-その1
n及びpチャネル用の新ヘテロ構造実現のため,それぞれSSOI及びSGOI基板へのO^+イオン注入法により歪み層の緩和を実証した.これは,歪み層/埋め込み酸化膜界面へのO^+イオンの反跳エネルギーにより,その界面で歪み層の滑りが発生し緩和することにより実現できることも判明した.22年度は歪み層の部分領域緩和を実証する予定である.
2.デバイスシミュレータを用いた素子構造設計その1
キャリアのヘテロ面でのトンネル効果を考慮したデバイスシミュレータを使って,nチャネルヘテロ素子の駆動能力の向上が実現できることを確認した.22年度では,pチャネル素子においても,駆動能力の向上の確認を行う予定である.
3.プロセスシミュレータを用いたイオン注入法のプロセス設計その1
イオン注入のモンテカルロ法を考慮したプロセスシミュレータを用いて,微細領域でのイオン注入法を用いたヘテロ構造作製のプロセス構築を行った.
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