2010 Fiscal Year Annual Research Report
超微細加工におけるナノトポグラフィ機構の解明と制御
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21760584
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
山本 洋揮 大阪大学, 産業科学研究所, 特任助教(常勤) (00516958)
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| Keywords | 材料・加工処理 / リソグラフィ / 量子ビーム / ナノ材料 / 半導体超微細化 |
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| Research Abstract |
本研究では、全レジストパターン形成過程におけるナノ空間スケールで起こる現象を完全に解明することを目的としている。最終的には、実験で得られた各々のパラメータを使ってシミュレーション解析を行い、実際に形成された微細パターンと比較することで超微細加工におけるナノトポグラフィ形成機構を解明する。超微細加工におけるナノトポグラフィ形成機構が解明されると、次世代リソグラフィとして最有力候補であるEUVレジストの開発指針を得ることができ、半導体業界で問題になっている感度、解像度、ラインエッジラフネス(LER)のトレードオフの問題を打開するレジスト指針を得ることができると考えられる。
本年度は21年度に引き続き、脱保護反応解析を行うとともに、100nmの薄膜でも測定ができる現像解析装置を用いて脱保護反応解析に用いた数種類のレジストの現像過程でのナノ空間現象を調べ、シミュレーションに必要なパラメータを求めた。また、溶解特性への保護率や保護基の種類の効果について調べた。すべての保護基について、保護率が増加するにつれて溶解コントラストが増加し、感度の減少がみられた。また、保護率が増加するにつれて、溶解阻害効果が増加した。これは、ヒドロキシル基の数が増加するにつれて、アルカリ現像液のレジストの浸透が増加し、現像速度に違いが出たと考えられる。また、溶解速度について、最大溶解速度の違いが見られた。これは副生成物の量の違いが影響していると思われる。このように、ポリマーの保護率と保護基は溶解速度と感度に影響されるので、レジスト設計が非常に重要であることを明らかにした。
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