2011 Fiscal Year Annual Research Report
超微細加工におけるナノトポグラフィ機構の解明と制御
| Project/Area Number |
21760584
|
|---|
| Research Institution | Osaka University |
|---|
Principal Investigator |
山本 洋揮 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (00516958)
|
|---|
| Keywords | 材料・加工処理 / リソグラフィ / 量子ビーム / ナノ材料 / 半導体超微細化 |
|---|
| Research Abstract |
本研究では、全レジストパターン形成過程におけるナノ空間スケールで起こる現象を完全に解明することを目的としている。最終的には、実験で得られた各々のパラメータを使ってシミュレーション解析を行い、実際に形成された微細パターンと比較することで超微細加工におけるナノトポグラフィ形成機構を解明する。超微細加工におけるナノトポグラフィ形成機構が解明されると、次世代リソグラフィとして最有力候補であるEUVレジストの開発指針を得ることができ、半導体業界で問題になっている感度、解像度、ラインエッジラフネス(LER)のトレードオフの問題を打開するレジスト指針を得ることができると考えられる。
本年度は21年度と22年度に引き続き、数種類のレジストの脱保護反応解析を行うとともに、100nmの薄膜でも測定ができる現像解析装置を用いて現像過程でのナノ空間現象を調べた。得られた結果からシミュレーションに必要な脱保護反応速度定数や現像パラメータを求め、得られたパラメータを用いてPROLITHというリソグラフィシミュレーションを使用してレジストプロファイルのシミュレーションを行った。その結果、ターシャリーブチルで保護したポリヒドロキシスチレンでは露光量20mJ/cm^2で膜厚70nmにおいて50nmのライン&スペースが形成可能できることがシミュレーションによって示唆された。このレジストを使って、電子線描画装置で実際にパターン形成を行ったところ、50nmライン&スペースが作製することができた。このように、実験で求めたレジストパラメータを使ってシミュレーションすることで、微細パターンが形成可能であるかどうかを予測できることが明らかにした。
|
