2023 Fiscal Year Annual Research Report
Verification of ferromagnetism in Li-intercalated graphene
Project/Area Number |
21K14533
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Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
Principal Investigator |
一ノ倉 聖 東京工業大学, 理学院, 助教 (00792566)
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Project Period (FY) |
2021-04-01 – 2024-03-31
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Keywords | グラフェン / インターカレーション / 層間化合物 / フラットバンド / 炭化ケイ素 / 異常ホール効果 |
Outline of Annual Research Achievements |
本研究では、グラフェン層間化合物の合成による2次元強磁性体の創出を目的としている。アルカリ金属やアルカリ土塁金属が侵入したグラフェンにおいてはフラットバンド機構による強磁性が期待される。そのため、様々な元素の添加によるフラットバンドの生成とそれによる強磁性発現の検証を進めた。 昨年度までで、リチウム層間化合物におけるフラットバンドの観測と制御に成功していた。本年度はカルシウム層間化合物の研究を行った。2層グラフェン層間化合物において、過剰なカルシウムがグラフェンと炭化ケイ素の界面に金属層を形成し、それがグラフェンの電子軌道と混成することでフラットバンドを生み出すことが明らかになった。 ここまでで発見したフラットバンド物質について、強磁性発現に伴うスピン分裂を検証するために高分解能光電子分光を行ったが、スピン分裂は観測されなかった。フラットバンド強磁性を実現するには電界効果等を用いてフラットバンド近傍での電子密度制御を細かく行う必要があるとわかった。 一方、強磁性を検出するための異常ホール効果測定系の開発は完了した。この機構の動作テストを兼ねて磁性トポロジカル絶縁体の測定を行い、強磁性発現に伴う異常ホール効果の測定に成功した。 研究期間全体を総括した成果を述べる。リチウムとカルシウムの層間化合物においてフラットバンドの生成とエネルギー制御に成功し、それぞれ論文発表を行った。その強磁性を検出するために異常ホール効果の測定系を完成させた。
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[Presentation] SiC基板上のCaインターカレートグラフェンが示す2次元超伝導:グラフェンと基板の界面に注目して2023
Author(s)
遠山晴子, 秋山了太, 一ノ倉聖, 橋爪瑞葵, 飯森拓嗣, 遠藤由大, 保原麗, 松井朋裕, 堀井健太郎, 佐藤瞬亮, 平原徹, 小森文夫, 長谷川修司
Organizer
2023年日本物理学会年次大会
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