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2010 Fiscal Year Annual Research Report

数層グラフェン薄膜の局所電子・機械物性制御

Research Project

Project/Area Number 22310086
Research InstitutionThe University of Tokushima

Principal Investigator

永瀬 雅夫  徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 教授 (20393762)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 関根 佳明  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 社員 (70393783)
影島 博之  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員 (70374072)
山口 浩司  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 部長 (60374071)
岡本 創  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 社員 (20350465)
Keywordsナノ材料 / マイクロ・ナノデバイス / 計測工学 / グラフェン
Research Abstract

ポストシリコンの電子材料として注目を浴びているグラフェンの局所電子物性と機械物性の制御を実現してデバイス化への路を探る。グラフェンの優れた各種の物性を複合化して新たなデバイスを実現することは重要な課題であり、本研究課題では、電子・機械複合物性を利用したグラフェン薄膜の新たな機能発現の可能性を探索する。
今年度は、SiC上グラフェンのナノ電子物性計測手法の確立を行い、グラフェンと金属プローブとのコンタクト特性を明らかにした。これにより、電子物性と機械物性の複合物性の発現の一例である高均一グラフェンのステップ近傍で発現する電流スイッチ現象の原理解明の手がかりを得た。機械物性の基礎評価法としてグラフェンの摩擦像の層数依存性の検討に着手し、摩擦像により層数評価が可能であり、より詳細な検討を行えば定量化も可能であるとの結果を得た。高均一なグラフェン薄膜の達成は、そのデバイス化に不可欠であり、電子物性、及び、機械物性共に大きな影響を受けることが予測されるため、顕微ラマン分光法を用いた膜質評価技術にも着手した。今後、膜質の定量評価技術を確立し、さらに電子・機械物性との相関を明らかにする。

  • Research Products

    (29 results)

All 2011 2010 Other

All Journal Article (6 results) (of which Peer Reviewed: 4 results) Presentation (22 results) Remarks (1 results)

  • [Journal Article] Half-Integer Quantum Hall Effect in Gate-Controlled Epitaxial Graphene Devices2010

    • Author(s)
      Shinichi Tanabe, et al.
    • Journal Title

      Appl.Phys.Express

      Volume: 3 Pages: 075102(3)

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Study on Thermoelectric Properties of Graphene2010

    • Author(s)
      Hiroyuki Kageshima
    • Journal Title

      Jpn.J.Appl.Phys.

      Volume: 49 Pages: 100207(3)

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Direct Actuation of GaAs Membrane Resonator by Scanning Probe2010

    • Author(s)
      Masao Nagase, et al.
    • Journal Title

      NTT Technical Rev.

      Volume: 8 Pages: rp1(7)

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討2010

    • Author(s)
      影島博之, 他
    • Journal Title

      日本結晶成長学会誌

      Volume: 37 Pages: 190-195

  • [Journal Article] SiC上エピタキシャルグラフェンの成長と評価2010

    • Author(s)
      日比野浩樹, 他
    • Journal Title

      固体物理

      Volume: 45 Pages: 645-655

  • [Journal Article] Atomic Structure and Physical Properties of Epitaxial Graphene Islands Embedded in SiC(0001) Surfaces2010

    • Author(s)
      Hiroyuki Kageshima, et al.
    • Journal Title

      Appl.Phys.Express

      Volume: 3 Pages: 115103(3)

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱2011

    • Author(s)
      関根佳明, 他
    • Organizer
      日本物理学会 第66回年次大会
    • Place of Presentation
      新潟市
    • Year and Date
      2011-03-26
  • [Presentation] エピタキシャルグラフェンのHall移動度評価2011

    • Author(s)
      田邉真一, 他
    • Organizer
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      厚木市
    • Year and Date
      2011-03-26
  • [Presentation] ラマン分光法による4H-SiC上エピタキシャルグラフェンの膜質評価2011

    • Author(s)
      呉龍錫, 他
    • Organizer
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      厚木市
    • Year and Date
      2011-03-26
  • [Presentation] SiC(0001)面上でのSi脱離とグラフェン形成2011

    • Author(s)
      影島博之, 他
    • Organizer
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      厚木市
    • Year and Date
      2011-03-26
  • [Presentation] ナノプロセスと材料による新たなデバイスの創出2011

    • Author(s)
      永瀬雅夫
    • Organizer
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      厚木市(招待講演)
    • Year and Date
      2011-03-26
  • [Presentation] Theoretical study on epitaxial graphene growth on SiC(0001) surface2011

    • Author(s)
      Hiroyuki Kageshima, et al.
    • Organizer
      2011 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices : Science and Technology (IWDTF2011)
    • Place of Presentation
      Tokyo, Japan(Invited)
    • Year and Date
      2011-01-20
  • [Presentation] Surface-enhanced Raman spectroscopy of graphene grown on SiC2011

    • Author(s)
      Sekine Yoshiaki, et al.
    • Organizer
      The International Symposium on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2011)
    • Place of Presentation
      Atsugi, Japan
    • Year and Date
      2011-01-12
  • [Presentation] Theoretical study on magnetoelectric effects of embedded graphene nanoribbons on SiC(0001) surface2011

    • Author(s)
      Hiroyuki Kageshima, et al.
    • Organizer
      The International Symposium on Nanoscale Transport and Technology (ISNTT2011)
    • Place of Presentation
      Atsugi, Japan
    • Year and Date
      2011-01-12
  • [Presentation] Electronic transport properties of top-gated monolayer and bilayer graphene devices on SiC2010

    • Author(s)
      Shinichi Tanabe, et al.
    • Organizer
      The 2010 Fall Meeting of the Materials Research Society (MRS)
    • Place of Presentation
      Boston, USA
    • Year and Date
      2010-12-02
  • [Presentation] グラフェン材料開発の最前線2010

    • Author(s)
      永瀬雅夫
    • Organizer
      学振・将来加工技術第136委員会 第11回研究会(合同)
    • Place of Presentation
      東京都(招待講演)
    • Year and Date
      2010-11-19
  • [Presentation] Theoretical study on growth, structure, and physical properties of graphene on SiC2010

    • Author(s)
      Hiroyuki Kageshima, et al.
    • Organizer
      "Japan-Korea Symposium on Surface and Nanostructure 9th" (JKSSN9)
    • Place of Presentation
      Sendai, Japan(Invited)
    • Year and Date
      2010-11-16
  • [Presentation] 「グラフェン」物性,評価技術2010

    • Author(s)
      永瀬雅夫
    • Organizer
      MNC技術セミナー
    • Place of Presentation
      北九州市(招待講演)
    • Year and Date
      2010-11-09
  • [Presentation] Theoretical study on functions of graphene2010

    • Author(s)
      Hiroyuki Kageshima, et al.
    • Organizer
      International Symposium on Graphene Devices 2010 (ISGD2010)
    • Place of Presentation
      Sendai, Japan(Invited)
    • Year and Date
      2010-10-29
  • [Presentation] Electrical contact properties of few-layer graphene on SiC substrate2010

    • Author(s)
      Masao Nagase, et al.
    • Organizer
      International Symposium on Graphene Devices 2010 (ISGD2010)
    • Place of Presentation
      Sendai, Japan(Invited)
    • Year and Date
      2010-10-28
  • [Presentation] Growth, structure, and transport properties of epitaxial graphene on SiC2010

    • Author(s)
      Hiroki Hibino, et al.
    • Organizer
      International Symposium on Graphene Devices 2010 (ISGD2010)
    • Place of Presentation
      Sendai, Japan(Invited)
    • Year and Date
      2010-10-27
  • [Presentation] Observation of bandgap in epitaxial bilayer graphene field effect transistors2010

    • Author(s)
      Shinichi Tanabe, et al.
    • Organizer
      2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010)
    • Place of Presentation
      Sendai, Japan
    • Year and Date
      2010-09-23
  • [Presentation] 単層エピタキシャルグラフェンにおける半整数量子ホール効果の観測2010

    • Author(s)
      田邉真一, 他
    • Organizer
      第71回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      長崎大学
    • Year and Date
      2010-09-16
  • [Presentation] SiC上エピタキシャルグラフェンのステップ境界2010

    • Author(s)
      影島博之, 他
    • Organizer
      第71回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      長崎大学
    • Year and Date
      2010-09-16
  • [Presentation] Surface Electron Microscopy of Epitaxial Graphene2010

    • Author(s)
      Hiroki Hibino, et al.
    • Organizer
      Second International Symposium on the Science and Technology of Epitaxial Graphene (STEG2)
    • Place of Presentation
      Amelia Island, Florida, USA(Invited)
    • Year and Date
      2010-09-14
  • [Presentation] Contact conductance measurement of nano-membrane structure of graphene on SiC2010

    • Author(s)
      Masao Nagase, et al.
    • Organizer
      18th International Vacuum Congress (IVC- 18)/International Conference on Nanoscience and Technology (ICN+T 2010)/14th International Conference on Surfaces Science (ICSS-14)/Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia (VASSCAA-5)
    • Place of Presentation
      Beijing, China
    • Year and Date
      2010-08-24
  • [Presentation] Atomic structure of epitaxial graphene islands on SiC(0001) surfaces and their magnetoelectric effects2010

    • Author(s)
      Hiroyuki Kageshima, et al.
    • Organizer
      30th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS2010)
    • Place of Presentation
      Seoul, Korea
    • Year and Date
      2010-06-26
  • [Presentation] グラフェン研究の現状と新規材料としての可能性について2010

    • Author(s)
      永瀬雅夫
    • Organizer
      CPC研究会
    • Place of Presentation
      東京都(招待講演)
    • Year and Date
      2010-06-24
  • [Remarks]

    • URL

      http://graphene.ee.tokushima-u.ac.jp/index.html

URL: 

Published: 2012-07-19  

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