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2012 Fiscal Year Annual Research Report

窒化物半導体超薄膜“1分子層”量子井戸構造光素子の基盤科学技術開拓

Research Project

Project/Area Number 23246056
Research InstitutionChiba University

Principal Investigator

吉川 明彦  千葉大学, 産学連携・知的財産機構, 特任教授 (20016603)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 草部 一秀  千葉大学, 産学連携・知的財産機構, 特任准教授 (40339106)
糸井 貴臣  千葉大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (50333670)
石谷 善博  千葉大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (60291481)
Project Period (FY) 2011-04-01 – 2015-03-31
Keywords薄膜・量子構造 / 窒化物半導体 / 太陽電池
Research Abstract

本研究の目的は、窒化物半導体超薄膜“1分子層”InNの極めて高い構造完全性と優れた光学特性を活用した光素子創製の基盤科学技術開拓である。平成24年度は下記計画に基づいて研究を進めた。
(1) “1分子層”InN/GaN短周期超格子の成長プロセス開拓・構造精密制御:その場観察を駆使した“1分子層”InN高温・自己形成/停止成長プロセスを発展させ、“1分子層”InN/GaN短周期超格子の構造精密制御プロセス開拓に注力した。MBE法では、非平衡・動的表面堆積プロセスを分光エリプソ/電子線回折から把握し、成長表面のドライ化を精密に制御することで、InN/GaN = 1分子層/4分子層短周期超格子のコヒーレント成長を達成することができた。高分解能透過電子顕微鏡観察からも界面揺らぎが1分子層程度まで制御されていることを確認した。
(2) “1分子層”InN/GaN短周期超格子の光電子物性の精密解析:“1分子層”InN/GaN短周期超格子(GaN = 1 - 20分子層)の光電子物性に関して、フォトルミネッセンス法による評価を行った。現状の超格子では、実効的In組成が設計値より低く、例えば、InN/GaN = 1分子層/4分子層では10 %であることが分かった。また、短周期化に伴い、バンド端以外にも深い準位からの発光が観測され、格子歪によって遷移経路が影響を受ける可能性が示唆された。
(3) “1分子層”InN/GaN短周期超格子内在GaNホモpn接合の電気的・光学的特性評価:“1分子層”InN/GaN短周期超格子を挿入したGaNダイオードの接合特性・光電変換特性を評価した。MOVPE成長したデバイスでは、Xeランプ照射下での開放端電圧2 V以上が実証され、“1分子層”InN/GaN短周期超格子が太陽電池に有用であることが実証された。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

研究実施計画の3項目ともに、研究計画に沿ってバランス良く進展し、かつ新たなデータ・有効な知見も得られている。成長・物性評価に加えて、デバイス作製を通した総合的な検討が進んでおり、高い水準での技術蓄積が行われている。

Strategy for Future Research Activity

本研究では、成長手段をMBE・MOVPE双方から検討することで、InN/GaN超格子成長プロセスの普遍的な理解を追求している。超格子成長プロセス開拓が先行するMBE法の知見をベースとして、MOVPEでの成長プロセス開拓をより一層進める必要がある。MOVPE特有の成長表面淀み層、およびアンモニア/表面でのエッチング反応が影響する複雑な状況を把握し、成長表面状態の精密制御を確立させる。
また、実効的In組成10 %かつ膜厚100nm程度の超格子構造の光電子物性と構造特性に注目しながら、太陽電池の接合特性および光電変換特性(I-V, C-V, 発光, 光起電力)への影響・関係を明らかにする。

  • Research Products

    (36 results)

All 2013 2012

All Journal Article (4 results) (of which Peer Reviewed: 4 results) Presentation (28 results) (of which Invited: 13 results) Book (2 results) Patent(Industrial Property Rights) (2 results)

  • [Journal Article] Infrared to vacuum-ultraviolet ellipsometry and optical Hall-effect study of free-charge carrier parameters in Mg-doped InN2013

    • Author(s)
      S. Schoche
    • Journal Title

      J. Appl. Phys.

      Volume: 113 Pages: 013502

    • DOI

      10.1063/1.4772625

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Analysis of carrier recombination processes in InN films by mid-infrared spectroscopy2013

    • Author(s)
      D. Imai
    • Journal Title

      Journal of Electronic Materials

      Volume: 42 Pages: 875-881

    • DOI

      10.1007/s11664-013-2550-y

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Fe-doped InN layers grown by molecular beam epitaxy2012

    • Author(s)
      Xinqiang Wang
    • Journal Title

      Appl. Phys. Lett.

      Volume: 101 Pages: 171905

    • DOI

      10.1063/1.4764013

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Coexistence of free holes and electrons in InN:Mg with In- and N-growth polarities2012

    • Author(s)
      L. H. Dmowski
    • Journal Title

      J. Appl. Phys.

      Volume: 111 Pages: 093719

    • DOI

      10.1063/1.4710529

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] MOVPE-InGaN/Sapphire太陽電池の作製・評価2013

    • Author(s)
      山本智博
    • Organizer
      2013年春季 第60回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川工科大学
    • Year and Date
      20130327-20130330
  • [Presentation] InNの局所的格子温度上昇による非輻射再結合活性化過程2013

    • Author(s)
      今井大地
    • Organizer
      2013年春季 第60回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      神奈川工科大学
    • Year and Date
      20130327-20130330
  • [Presentation] Proposal of coherent-structure InN/GaN QW-based photonic devices: SMART technology for achieving wavelength tunings up to infrared by novel 1-ML InN/GaN matrix MQWs2013

    • Author(s)
      Akihiko YOSHIKAWA
    • Organizer
      SPIE Photonics West 2013
    • Place of Presentation
      San Francisco, California, USA
    • Year and Date
      20130202-20130207
    • Invited
  • [Presentation] Proposal of SMART III-N Tandem Solar Cells on the Basis of Coherent-Structure InN/GaN Short-Period Superlattices2012

    • Author(s)
      Akihiko YOSHIKAWA
    • Organizer
      Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG 2012)
    • Place of Presentation
      Orlando, Florida, USA
    • Year and Date
      20121211-20121214
    • Invited
  • [Presentation] InNの非輻射性キャリア再結合過程におけるキャリア輸送及び熱活性化過程の影響2012

    • Author(s)
      今井大地
    • Organizer
      電子情報通信学会研究会
    • Place of Presentation
      大阪市立大
    • Year and Date
      20121130-20121130
  • [Presentation] MBE-Growth of Coherent-Structure InN/GaN Short-Period Superlattices as Ordered InGaN Ternary Alloys for III-N Solar Cell Application2012

    • Author(s)
      Akihiko YOSHIKAWA
    • Organizer
      AVS 59th International Symposium and Exhibition
    • Place of Presentation
      Tampa, Florida, USA
    • Year and Date
      20121028-20121102
  • [Presentation] Challenges for Growing Ordered InGaN Ternary Alloys: Proposal of SMART III-N Tandem Solar Cells Using InN/GaN Short-period Superlattices2012

    • Author(s)
      Akihiko YOSHIKAWA
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
    • Place of Presentation
      Sapporo, Japan
    • Year and Date
      20121014-20121019
    • Invited
  • [Presentation] Mid and Far-Infrared analysis of the local electron-lattice dynamics on carrier recombination processes of InN films2012

    • Author(s)
      Daichi Imai
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
    • Place of Presentation
      Sapporo, Japan
    • Year and Date
      20121014-20121019
  • [Presentation] Achievement of Coherent (InN)1/(GaN)4 Short-Period Superlattices Grown by RF-Plasma Molecular Beam Epitaxy2012

    • Author(s)
      Takahiro Okuda
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
    • Place of Presentation
      Sapporo, Japan
    • Year and Date
      20121014-20121019
  • [Presentation] Elucidation of the electrical properties of indium nitride2012

    • Author(s)
      Tatiana A. Komissarova
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
    • Place of Presentation
      Sapporo, Japan
    • Year and Date
      20121014-20121019
    • Invited
  • [Presentation] Growth of high-electron mobility InN and demonstration of p-type doping2012

    • Author(s)
      Xinqiang Wang
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
    • Place of Presentation
      Sapporo, Japan
    • Year and Date
      20121014-20121019
    • Invited
  • [Presentation] Spectroscopic ellipsometry and optical Hall effect study of InN: Mg Identification of p type doping and determination of free hole parameters2012

    • Author(s)
      Stefan Schoche
    • Organizer
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2012
    • Place of Presentation
      Sapporo, Japan
    • Year and Date
      20121014-20121019
  • [Presentation] Development of MBE Processes for “SMART” III-Nitride Solar Cells: Coherent-grown (InN)1/(GaN)n Short-Period Superlattices2012

    • Author(s)
      Kazuhide Kusakabe
    • Organizer
      International Conference on Molecular Beam Epitaxy 2012
    • Place of Presentation
      Nara, Japan
    • Year and Date
      20120923-20120928
  • [Presentation] Molecular beam epitaxy of InN and InN:Mg layers2012

    • Author(s)
      Xinqiang Wang
    • Organizer
      第73回応用物理学会学術講演会Symposium “Growth of In-rich InGaN and its application”
    • Place of Presentation
      愛媛大学・松山大学
    • Year and Date
      20120911-20120914
    • Invited
  • [Presentation] Structural Control and Optical Properties of Coherent (InN)1/(GaN)n Short-Period Superlattices for SMART III-Nitride Solar Cells2012

    • Author(s)
      Kazuhide Kusakabe
    • Organizer
      第73回応用物理学会学術講演会Symposium “Growth of In-rich InGaN and its application”
    • Place of Presentation
      愛媛大学・松山大学
    • Year and Date
      20120911-20120914
  • [Presentation] Towards “Device-Quality Epitaxy” of InN, In-rich InGaN, and Fine-Structure InN/InGaN/GaN Superlattices2012

    • Author(s)
      Akihiko Yoshikawa
    • Organizer
      第73回応用物理学会学術講演会Symposium “Growth of In-rich InGaN and its application”
    • Place of Presentation
      愛媛大学・松山大学
    • Year and Date
      20120911-20120914
  • [Presentation] Characteristics of carrier recombination processes in n-type and p-type InN films analyzed by infrared spectroscopy2012

    • Author(s)
      Daichi Imai
    • Organizer
      第73回応用物理学会学術講演会Symposium “Growth of In-rich InGaN and its application”
    • Place of Presentation
      愛媛大学・松山大学
    • Year and Date
      20120911-20120914
  • [Presentation] InNのキャリア再結合過程における局所的電子-格子ダイナミクスの影響2012

    • Author(s)
      今井大地
    • Organizer
      第73回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      愛媛大学・松山大学
    • Year and Date
      20120911-20120914
  • [Presentation] InN for THz application2012

    • Author(s)
      Xinqiang Wang
    • Organizer
      9th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices
    • Place of Presentation
      Berlin, Germany
    • Year and Date
      20120723-20120727
    • Invited
  • [Presentation] Challenges for Achieving High Efficiency SMART III-N Solar Cells with Using Novel Ordered InGaN Ternary Alloys2012

    • Author(s)
      Akihiko Yoshikawa
    • Organizer
      German-Japanese-Spanish Joint Workshop on Frontier Photonics and Electronic Materials and Devices
    • Place of Presentation
      Berlin, Germany
    • Year and Date
      20120721-20120722
    • Invited
  • [Presentation] Analysis of carrier recombination processes in InN films by mid-infrared spectroscopy2012

    • Author(s)
      D. Imai
    • Organizer
      Electron Material conference
    • Place of Presentation
      Pennsylvania state, USA
    • Year and Date
      20120620-20120622
  • [Presentation] 窒化物半導体高効率太陽電池への挑戦 -SMART太陽電池の提案-2012

    • Author(s)
      吉川明彦
    • Organizer
      応用物理学会 応用電子物性分科会研究例会「窒化物半導体光デバイスの最前線 ~デバイスと光物性~」
    • Place of Presentation
      京都
    • Year and Date
      20120614-20120614
    • Invited
  • [Presentation] Proposal and Prospects of SMART III-Nitride Tandem Solar Cells with using InN/GaN Digital Alloys2012

    • Author(s)
      Akihiko Yoshikawa
    • Organizer
      2nd UNIST-KIST International Symposium
    • Place of Presentation
      Ulsan, Korea
    • Year and Date
      20120524-20120525
    • Invited
  • [Presentation] Development of MOVPE Processes for “SMART” III-Nitride Solar Cells: Polarity-dependent Self-limited Adsorption of In on c-plane GaN2012

    • Author(s)
      Kazuhide Kusakabe
    • Organizer
      International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy 2012
    • Place of Presentation
      Busan, Korea
    • Year and Date
      20120520-20120525
  • [Presentation] Overview of Material Properties of InGaN Ternary Alloys for III-Nitride Tandem Solar Cells2012

    • Author(s)
      Akihiko Yoshikawa
    • Organizer
      International Workshop on SMART Green Innovation with Extended NSAP
    • Place of Presentation
      Chiba, Japan
    • Year and Date
      20120512-20120512
    • Invited
  • [Presentation] Propsal of SMART III-Nitride Tandem Solar Cells and Development of SMART Epitaxy Processes2012

    • Author(s)
      Kazuhide Kusakabe
    • Organizer
      International Workshop on SMART Energy Harvesting and Saving with III-Nitride Semiconductors “Frontier of Nitride Semiconductor Alloy Photonics”
    • Place of Presentation
      Chiba, Japan
    • Year and Date
      20120510-20120511
    • Invited
  • [Presentation] First principles calculations of III-Nitride-based short-period superlattices2012

    • Author(s)
      Mauro Ribeiro Jr.
    • Organizer
      International Workshop on SMART Energy Harvesting and Saving with III-Nitride Semiconductors “Frontier of Nitride Semiconductor Alloy Photonics”
    • Place of Presentation
      Chiba, Japan
    • Year and Date
      20120510-20120511
    • Invited
  • [Presentation] 近・中赤外域分光によるInNの輻射・非輻射再結合過程解析2012

    • Author(s)
      今井大地
    • Organizer
      第4回窒化物半導体結晶成長講演会
    • Place of Presentation
      東京
    • Year and Date
      20120427-20120428
  • [Book] 「ワイドギャップ半導体 あけぼのから最前線へ」“窒化物半導体による広帯域・高効率太陽電池”2013

    • Author(s)
      草部一秀(分担)
    • Total Pages
      404
    • Publisher
      培風館
  • [Book] ワイドギャップ半導体 あけぼのから最前線へ2013

    • Author(s)
      吉川明彦(監修)
    • Total Pages
      404
    • Publisher
      培風館
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 結晶軸配向性とファセット(結晶面)を制御した微結晶構造窒化物半導体光・電子素子2012

    • Inventor(s)
      崔成伯,吉川明彦
    • Industrial Property Rights Holder
      千葉大学
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      特願2012-152608(特許査定)
    • Filing Date
      2012-07-06
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体光素子2012

    • Inventor(s)
      崔成伯,石谷善博,吉川明彦
    • Industrial Property Rights Holder
      千葉大学
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      特願2012-289267
    • Filing Date
      2012-12-30

URL: 

Published: 2014-07-24  

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