2023 Fiscal Year Comments on the Screening Results
Project/Area Number |
23H05463
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Review Section |
Broad Section D
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Research Institution | NTT Basic Research Laboratories |
Principal Investigator |
山口 浩司 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, フロンティア機能物性研究部, フェロー (60374071)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
林 将光 東京大学, 大学院理学系研究科(理学部), 准教授 (70517854)
畑中 大樹 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, フロンティア機能物性研究部, 主任研究員 (60601771)
黒子 めぐみ 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, フロンティア機能物性研究部, 研究主任 (90898587)
浅野 元紀 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, フロンティア機能物性研究部, 准特別研究員 (60867224)
岡本 創 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, フロンティア機能物性研究部, 特別研究員 (20350465)
谷保 芳孝 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 多元マテリアル創造科学研究部, 上席特別研究員 (20393738)
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Project Period (FY) |
2023-04-12 – 2028-03-31
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Summary of the Research Project |
本研究は、次世代無線通信に対応できる100 GHz超で動作可能なスピントロニクスデバイスの開発を目指している。応募者らの研究実績を活かした微小フォノニック共振器と不揮発性を有する強磁性体スピントロニクス材料とを、マグノフォノニック共振器デバイスとして結合動作させる取組である。
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Scientific Significance and Expected Research Achievements |
窒化物半導体、フェリ磁性体、人工反強磁性体の結晶や薄膜構造の最適化によって、マグノンとフォノンの相互作用の物理を理解し、高度に制御して強結合状態に導くことを目指す。研究そのものに独自性があり、目的を達成することができれば、スピントロニクスデバイス分野における技術革新となるほか、量子物性に関わる基礎物理学の発展に寄与する。
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