2014 Fiscal Year Annual Research Report
フィルタードアーク蒸着装置の高機能化と高品質水素フリーＤＬＣ膜の形成・加工
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24246048
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| Research Institution | Toyohashi University of Technology |
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Principal Investigator |
滝川 浩史 豊橋技術科学大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (90226952)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
清原 修二 舞鶴工業高等専門学校, 電子制御工学科, 准教授 (40299326)
金子 智 神奈川県産業技術センター, その他部局等, 研究員 (40426359)
山田 健二 石川工業高等専門学校, 電気情報工学科, 准教授 (50249778)
羽渕 仁恵 岐阜工業高等専門学校, 電子情報工学科, 准教授 (90270264)
田上 英人 北九州工業高等専門学校, 電気電子工学科, 講師 (50580578)
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| Project Period (FY) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| Keywords | フィルタードアーク蒸着 / ダイヤモンドライクカーボ ン膜 / 微細加工 / ナノテクノロジー / パターニング / エッチング / MEMS |
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| Outline of Annual Research Achievements |
真空中で発生させたアーク放電プラズマを用い、異物レスで均質な高品質ダイヤモンドライクカーボン（DLC）薄膜を形成可能なセミオート化フィルタードアーク蒸着装置を用い、Si基板上への均一なDLC膜の創製を行うとともに、同DLC膜の微細加工を実施した。本年度では、特にDLC膜の加工性に関する研究を進めた。
ナノインプリント法によるDLCのナノ加工において、マスク材とDLC膜のエッチング速度の関係から、適切なマスク材・エッチング条件の特定を試みた。これまでDLCナノ加工のためのパターニングマスク材には、ポリシロキサンを使用してきたが、パターン形成の観点から、主成分を酸化シリコンとするHSQ（Hydrogen Silsesquioxane）膜を新たなパターニングマスク材とした。HSQ膜に対するDLC膜のエッチング選択比におけるイオンエネルギー依存性を明らかにした。ECR CHF3およびO2イオンシャワー加工によるエッチング速度のイオンエネルギー依存性から、HSQ膜の最適除去条件およびDLC膜の最適加工条件を見出した。本研究成果により、直径500nm、高さ400nmの先鋭化したDLCナノドットアレイパターンが形成できた。
昨年度までの研究成果により得られた高品質水素フリーDLC膜を用い、ナノサイズDLC構造を実現した。高品質水素フリーDLCを基材としたナノ構造体は、今後MEMSや電子デバイス等への応用が期待される。
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| Research Progress Status |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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Research Products
(20 results)
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[Journal Article] Expansion of lattice constants of aluminum nitride thin film prepared on sapphire substrate by ECR plasma sputtering method2014
Author(s)
S Kaneko, H Torii, T Amazawa, T Ito, M Yasui, M Kurouchi, A Fukushima, T Tokumasu, S Lee, S Park, H Takikawa, M Yoshimoto
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Journal Title
Japanese Journal of Applied Physics
Volume: 53
Pages: 11RA11_1-4
DOI
Peer Reviewed / Open Access / Acknowledgement Compliant
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[Presentation] Dry engraving of metales nameplates using cutter with super DLC coat2015
Author(s)
Y. Fujii, Y. Miyamoto, Y. Suda, H. Takikawa, H. Tanoue, M. Kamiya, M, Taki, Y. Hasegawa, N. Tsuji
Organizer
IS Plasma 2015
Place of Presentation
Nagoya, Japan
Year and Date
2015-03-27 – 2015-03-30
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