2015 Fiscal Year Annual Research Report
フラストレーションによって誘起された4fホール系の圧力下量子臨界現象
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25400375
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| Research Institution | Hiroshima University |
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Principal Investigator |
梅尾 和則 広島大学, 自然科学研究支援開発センター, 准教授 (10223596)
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| Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| Keywords | 磁気フラストレーション / 4fホール系 / 高圧力 / 非フェルミ液体的挙動 / 比熱 / 磁化 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本研究では，Yb化合物の磁気フラストレーションを圧力によって制御し，その際に出現する量子臨界点(QCP)での超伝導や非フェルミ液体的挙動を探索し，それらに対する磁気フラストレーションの影響を明確にすることを目的とする。試料として取上げた擬カゴメ格子系YbAgGeは常圧下で二段の磁気転移をTM1=0.8 KとTM2=0.65 Kで示す。最近，我々は第二のQCPがPC2=16 GPa付近にあることを見出した。そこで，その第二QCPでの圧力誘起超伝導や特異な臨界現象出現の可能性を探る。
平成27年度では，比熱の上限圧力を20 GPaまで引き上げるため，装置を改良した。比熱測定に用いるアンビル先端直径をこれまでの3㎜から2.4㎜に小さくし，アンビル先端に施した窪みの形状を改良した。その結果，10GPaまでの圧力下で比熱の絶対値を0.5Kから10Kの温度範囲で測定することに成功した。
関連するYb化合物の研究として，平成27年度はTN=4.2Kで反強磁性転移する三角格子系YbCuGeの磁気フラストレーション効果の影響を探るため，0.3 GPaまでの一軸圧力下における磁化と比熱の測定を行った。その結果，静水圧下および三角格子が歪まない六方晶のc軸方向に加圧した場合では，TNは全く変化しなかったが，三角格子が変形するa軸方向に0.15 GPaまで加圧した場合，TNは4.5 Kまで上昇した。また，このTNの上昇は比熱測定でも確かめられた。この結果は常圧下で既に磁気フラストレーションによってTNが抑制されていることを強く示唆する。
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Research Products
(11 results)
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[Journal Article] Electronic structure of YbNiX3 (X=Si, Ge) studied by hard X-ray photoemission spectroscopy2015
Author(s)
H. Sato, Y. Utsumi, J. Kodama, H. Nagata, M. A. Avila, R. A. Ribeiro, K. Umeo, T. Takabatake, K. Mimura, S. Motonami, H. Anzai, S. Ueda, K. Shimada, H. Namatame, and M. Taniguchi
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Journal Title
Phys. Status Solidi C
Volume: 12
Pages: 620-623
DOI
Peer Reviewed
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