2014 Fiscal Year Annual Research Report
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25709027
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| Research Institution | Kyoto University |
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Principal Investigator |
安藤 裕一郎 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (50618361)
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| Project Period (FY) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| Keywords | シリコンスピントロニクス / スピン流制御 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
スピン流（スピン角運動量を有する電流）は従来，1ビット情報しか輸送できなかった．本研究は申請者のシーズ技術であるSi中へのスピン注入・輸送・操作技術を高度化し，スピン流で輸送できる情報を多ビット化する．具体的にはスピンの向きを3次元的に制御して輸送し，検出電極で3次元情報に復元する技術の確立を図る．本技術によってスピン流で輸送できる情報量は飛躍的に増加し，従来のスピントロニクスを遥かに凌駕する高機能デバイスの実現が期待できる．
本年度はスピンドリフト効果がスピン蓄積電圧信号に与える影響について詳細に検討した．その結果，ドリフト効果はスピン引き抜き側の電極には非常に有効に働きスピン信号を増幅させるが，スピン注入側の電極ではスピン信号を減少させることが判明した．本結果は操作したスピン流を高感度に検出するうえで重要な設計指針となる．
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
信号強度が十分ではなかったため，当初予定していなかった研究をおこなった．しかし，そのおかげでどのようにしたら信号強度を増幅させられるのかの設計指針が得られ，今後の研究において良い手助けとなることができた．今後の研究も十分に実現可能であると期待される為，研究は順調に進展していると考えている．
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| Strategy for Future Research Activity |
複数のスピンを用いたスピン流制御技術の確立
複数の制御用強磁性体を用いた素子を作製し，個々の強磁性体の磁化配置により検出される電圧が制御できることを実証する．X,Y,Z端子に検出される電圧が，複数配置した強磁性体の磁化配置に依存して変化することを実証する．
電圧によるスピン流の3次元方向制御技術の確立
電圧印加磁化方向制御技術を用いることにより，制御用強磁性体の磁化方向の高速に制御し，スピン流の高速変調を目指す．制御用強磁性体に電圧印加磁化方向制御用の電極を作製する．パルスジェネレータを用いて瞬間的に電圧を印加し，それによる検出信号の変化をGHｚオシロスコープで測定する．
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